IRFP360 N-Kanal Power MOSFET TO-247

IRFP360, orta-yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış, güçlü ve verimli bir N-kanal güç MOSFET'idir. 400V drain-source voltajı ve 23A sürekli akım kapasitesi ile güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemleri için ideal bir yarı iletken elemandır.

TO-247 paketinde sunulan bu elektronik komponent, yüksek ısı dağıtım kapasitesi ve dayanıklı yapısıyla zorlu çalışma koşullarında güvenilir performans sağlar. 0.2 Ohm düşük RDS(on) değeri, verimli anahtarlama uygulamaları için uygundur.

Yüksek güç dağıtım kapasitesi olan IRFP360, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltajlı motor kontrol devrelerinde tercih edilir. Potansiyometre ile birlikte kullanılarak manuel hız kontrol sistemleri ve dimmer devreleri gibi güç kontrol uygulamaları oluşturulabilir.

Teknik Özellikler

IRFP360 N-Kanal Power MOSFET TO-247'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: Infineon / International Rectifier
• MOSFET Tipi: N-Kanal
• Paket / Kılıf: TO-247
• Drain-Source Voltajı (V_DSS): 400V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): 23A @ 25°C
• Pulslu Drain Akımı (I_DM): 92A (kısa süreli)
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±30V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2.0V - 4.0V
• Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 0.2Ω @ V_GS = 10V
• Logic Level Gate: Hayır (standart gate voltajı)
• Gate Şarj (Q_g): 120 nC (tipik)
• Açma/Kapama Gecikme Süresi: t_d(on) = 35ns, t_d(off) = 68ns
• Yükselme/Düşme Süresi: t_r = 105ns, t_f = 87ns
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 2700 pF
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 320 pF
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 54 pF
• Toplam Gate Şarj (Q_g): 120 nC
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 280W
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası
• Termal Direnç (R_θJC): 0.45°C/W
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 670 mJ
• Body Diyot İleri Voltaj Düşümü (V_SD): 1.4V
• Body Diyot Reverse Recovery Süresi (t_rr): 300ns
• Body Diyot Reverse Recovery Şarjı (Q_rr): 6.4 µC
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRFP360 N-Kanal Power MOSFET TO-247'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Güç Elektroniği

• Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
• DC-DC dönüştürücüler
• İnverter devreleri
• UPS sistemleri
• Güç faktörü düzeltme (PFC) devreleri

Motor Sürücüler

• Yüksek voltajlı DC motor kontrolü
• BLDC motor sürücüleri
• H-köprü devreleri
• Fırçasız motor kontrol üniteleri
• Endüstriyel motor kontrol sistemleri

Endüstriyel Uygulamalar

• İndüksiyon ısıtma devreleri
• Yüksek voltajlı anahtarlama sistemleri
• Elektromanyetik kontrol devreleri
• Yüksek güçlü LED sürücüleri
• Solar inverterler

Avantajlar ve Özellikler

IRFP360 N-Kanal Power MOSFET TO-247'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Düşük RDS(on): 0.2Ω ile yüksek verimlilik ve düşük ısı üretimi
• Yüksek Voltaj Kapasitesi: 400V ile endüstriyel uygulamalarda güvenli çalışma
• Yüksek Akım Taşıma: 23A sürekli, 92A puls akım kapasitesi
• Etkili Isı Dağıtımı: TO-247 paketi ile üstün termal performans
• Yüksek Avalanche Dayanımı: 670 mJ ile güvenilir çalışma
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası geniş aralık
• Yüksek Güç Dağıtımı: 280W maksimum güç kapasitesi
• Entegre Body Diyot: İndüktif yükler için koruma
• Sağlam Yapı: Zorlu endüstriyel ortamlarda dayanıklı çalışma
• Makul Anahtarlama Hızı: Orta-yüksek frekanslı uygulamalara uygun

Uygulama ve Devre Tasarımı

IRFP360 N-Kanal Power MOSFET TO-247 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel Bağlantı Şemaları:

• Düşük Taraf Anahtarlama: Source pini toprağa, Drain pini yüke bağlanır
• Gate Sürüşü: 10-15V arası gate voltajı, özel gate sürücü IC kullanılması önerilir
• Gate Koruması: Gate ve Source arasına 15V zener diyot ve 10kΩ pull-down direnci
• İndüktif Yük Koruması: Drain-Source arasına ters bağlı hızlı diyot (UF4007 gibi)
• Snubber Devresi: Drain-Source arasına RC snubber (100Ω + 1nF gibi)

Buck (Düşürücü) Dönüştürücü Örneği:

• Komponentler: IRFP360, gate sürücü, indüktör, diyot, kapasitör, mikrodenetleyici
• Çalışma Prensibi: MOSFET açıkken indüktör enerji depolar, kapalıyken depolanan enerji yüke aktarılır
• Gate Sürüşü: Özel gate sürücü IC (IR2110 gibi) ile hızlı ve temiz gate anahtarlaması
• Soğutma: Alüminyum soğutucu ve termal macun ile etkin soğutma sağlanmalıdır
• Korumalar: Aşırı akım, aşırı sıcaklık ve kısa devre koruması için ek devreler

Sorun Giderme ve İpuçları

IRFP360 N-Kanal Power MOSFET TO-247 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Aşırı Isınma: Yetersiz soğutma, daha büyük soğutucu ve termal macun kullanın.
• Verim Düşüklüğü: Yüksek RDS(on), gate voltajını kontrol edin (10-15V olmalı).
• Kararsız Çalışma: Gate sürücü yetersiz, uygun gate sürücü IC kullanın.
• MOSFET Arızası: Gerilim sıçramaları, snubber devresi ve TVS diyotlar ekleyin.
• EMI/Gürültü Sorunları: PCB tasarımı ve komponent yerleşimi optimize edilmeli.

Tasarım ve Montaj İpuçları

• Gate sürücü devresini MOSFET'e mümkün olduğunca yakın konumlandırın
• Yüksek akımlı uygulamalarda soğutucu termal direnci 1°C/W veya altında olmalıdır
• PCB tasarımında kalın bakır yollar ve geniş toprak düzlemi kullanın
• Endüktif yüklerde mutlaka koruyucu diyot ve snubber devresi kullanın
• Gate hattını diğer sinyallerden uzak tutun ve ekranlı kablo kullanmayı düşünün

Paket İçeriği

• IRFP360 N-Kanal Power MOSFET TO-247

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular