IRF4905 P Kanal Power Mosfet TO-220

IRF4905 P-Kanal Power MOSFET TO-220

IRF4905, yüksek akım gerektiren uygulamalar için tasarlanmış, son derece verimli bir P-kanal güç MOSFET'idir. -55V drain-source voltajı ve -74A sürekli akım kapasitesi ile yüksek taraf anahtarlama, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemleri için ideal bir yarı iletken elemandır.

TO-220 paketinde sunulan bu elektronik komponent, P-kanal yapısı sayesinde yüksek taraf (high-side) anahtarlamada ekstra sürücü devresi gerektirmeden doğrudan kontrol imkanı sağlar. Ultra düşük 0.02 Ohm RDS(on) değeri ile olağanüstü verimlilik ve minimal ısı üretimi sunar.

Yüksek akım ve düşük direnç özellikleriyle öne çıkan IRF4905, batarya koruması, yük anahtarlama, H-köprü devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Potansiyometre ile birlikte kullanılarak manuel kontrollü yüksek akım sistemleri oluşturulabilir.

Teknik Özellikler

IRF4905 P-Kanal Power MOSFET TO-220'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: International Rectifier / Infineon
• MOSFET Tipi: P-Kanal
• Paket / Kılıf: TO-220
• Drain-Source Voltajı (V_DSS): -55V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): -74A @ 25°C
• Pulslu Drain Akımı (I_DM): -280A (kısa süreli)
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): -2.0V ~ -4.0V
• Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 0.02Ω @ V_GS = -10V
• Logic Level Gate: Hayır (standart gate voltajı)
• Gate Şarj (Q_g): 130 nC (tipik)
• Açma/Kapama Gecikme Süresi: t_d(on) = 19ns, t_d(off) = 86ns
• Yükselme/Düşme Süresi: t_r = 120ns, t_f = 85ns
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 5200 pF
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 730 pF
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 360 pF
• Toplam Gate Şarj (Q_g): 130 nC
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 200W
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası
• Termal Direnç (R_θJC): 0.63°C/W
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 760 mJ
• Body Diyot İleri Voltaj Düşümü (V_SD): -1.5V
• Body Diyot Reverse Recovery Süresi (t_rr): 410ns
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRF4905 P-Kanal Power MOSFET TO-220'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Yüksek Akım Yüksek Taraf Anahtarlama

• Batarya koruma devreleri
• Güç dağıtım sistemleri
• Akıllı yük kontrolü
• Elektronik sigortalar
• Ters polarite koruma devreleri

Motor Kontrolü

• H-köprü motor sürücüleri (üst taraf)
• DC motor kontrol devreleri
• Elektrikli araç güç sistemleri
• Yüksek akım fan kontrolleri
• Endüstriyel motor sürücüleri

Güç Yönetimi

• Yüksek akım güç kaynakları
• Solar şarj kontrol üniteleri
• Batarya yönetim sistemleri
• Yüksek güçlü LED sürücüleri
• UPS sistemleri

Avantajlar ve Özellikler

IRF4905 P-Kanal Power MOSFET TO-220'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Ultra Düşük RDS(on): 0.02Ω ile olağanüstü verimlilik ve minimum ısı üretimi
• Yüksek Akım Kapasitesi: -74A sürekli, -280A puls akım kapasitesi
• P-Kanal Yapısı: Yüksek taraf anahtarlama için basit devre tasarımı
• TO-220 Paketi: Yüksek ısı dağıtımı ve kolay soğutucu montajı
• Düşük Gate Sürüş Voltajı: -10V ile tam iletim için yeterli
• Yüksek Avalanche Dayanımı: 760 mJ ile güvenilir koruma
• 200W Güç Dağıtımı: Yüksek güç uygulamaları için yeterli kapasite
• Yerleşik Body Diyot: İndüktif yüklerde koruma sağlar
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası çalışabilme
• Düşük Termal Direnç: 0.63°C/W ile etkili ısı transferi

Uygulama ve Devre Tasarımı

IRF4905 P-Kanal Power MOSFET TO-220 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel Bağlantı Şemaları:

• Yüksek Taraf Anahtarlama: Source pini pozitif beslemeye, Drain pini yüke bağlanır
• Gate Kontrolü: Gate'i Source'dan daha negatif yapmak için NPN transistör veya sürücü devresi kullanılır
• Pull-Up Direnci: Gate-Source arasına 10kΩ pull-up direnci (normalde kapalı tutmak için)
• Gate Koruması: Gate-Source arasına 15V zener diyot (ters yönde) bağlanır
• Soğutma: TO-220 paketinin metal tabı soğutucuya monte edilir, termal macun kullanılır

Elektronik Batarya Koruma Devresi Örneği:

• Komponentler: IRF4905, komparatör/mikrodenetleyici, NPN transistör, dirençler, referans voltaj devresi
• Bağlantı: IRF4905 Source->Batarya+, Drain->Yük+, Gate->Kontrol Devresi, Batarya ve Yük eksileri ortak
• Çalışma Prensibi: Batarya voltajı belirlenen eşik değerinin altına düştüğünde kontrol devresi Gate'i yükseltir, MOSFET kapanır
• Korumalar: Aşırı akım, düşük voltaj ve termal koruma için ek devreler eklenebilir
• Notlar: Yüksek akımlarda PCB yolları en az 4mm genişliğinde olmalı ve iyi bir soğutma sağlanmalıdır

Sorun Giderme ve İpuçları

IRF4905 P-Kanal Power MOSFET TO-220 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• MOSFET Açılmıyor: Gate voltajı Source'a göre yeterince negatif değil, -10V civarı voltaj sağlayın.
• Aşırı Isınma: Akım limiti aşılmış veya yetersiz soğutma, uygun boyutta soğutucu kullanın.
• Gate Sürüşü Sorunları: Yüksek gate kapasitansı, uygun gate sürücü devresi kullanın.
• Yavaş Anahtarlama: Büyük gate kapasitansı (5200pF), düşük değerli gate direnci kullanın.
• Ters Polarite Hasarı: Body diyot akım limitini aşmayın, koruma devreleri ekleyin.

Tasarım ve Montaj İpuçları

• PCB tasarımında Drain ve Source bağlantıları için en az 4mm genişlikte bakır yollar kullanın
• Yüksek akımlı uygulamalarda birden fazla IRF4905'i paralel bağlayabilirsiniz
• Gate sürüşü için yeterli akım sağlayan sürücü devresi tasarlayın
• 35A üzeri uygulamalarda termal direnci 1°C/W altında soğutucu kullanın
• Soğutucu montajında yalıtkan pad ve termal macun kullanarak optimum ısı transferi sağlayın

Paket İçeriği

• IRF4905 P-Kanal Power MOSFET TO-220

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular