IRF9540N P Kanal Power Mosfet TO-220

IRF9540N P-Kanal Power MOSFET TO-220

IRF9540N, orta güç seviyesi uygulamaları için tasarlanmış, güvenilir ve çok yönlü bir P-kanal güç MOSFET'idir. -100V drain-source voltajı ve -23A sürekli akım kapasitesi ile yüksek taraf anahtarlama, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamaları için ideal bir yarı iletken elemandır.

TO-220 paketinde sunulan bu elektronik komponent, P-kanal yapısı sayesinde yüksek taraf (high-side) anahtarlama için ekstra sürücü devresi gerektirmeden doğrudan kontrol imkanı sağlar. 0.117 Ohm RDS(on) değeri ile verimli güç kontrolü sunar.

Kolay kullanımı ve yaygın bulunabilirliği ile öne çıkan IRF9540N, batarya koruması, pozitif voltaj anahtarlama devreleri ve yük kontrolü uygulamalarında sıkça tercih edilir. Potansiyometre ile birlikte kullanılarak analog güç kontrolü devreleri oluşturulabilir.

Teknik Özellikler

IRF9540N P-Kanal Power MOSFET TO-220'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: International Rectifier / Infineon
• MOSFET Tipi: P-Kanal
• Paket / Kılıf: TO-220
• Drain-Source Voltajı (V_DSS): -100V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): -23A @ 25°C
• Pulslu Drain Akımı (I_DM): -92A (kısa süreli)
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): -2.0V ~ -4.0V
• Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 0.117Ω @ V_GS = -10V
• Logic Level Gate: Hayır (standart gate voltajı)
• Gate Şarj (Q_g): 62 nC (tipik)
• Açma/Kapama Gecikme Süresi: t_d(on) = 25ns, t_d(off) = 68ns
• Yükselme/Düşme Süresi: t_r = 95ns, t_f = 52ns
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 1700 pF
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 310 pF
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 52 pF
• Toplam Gate Şarj (Q_g): 62 nC
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 140W
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası
• Termal Direnç (R_θJC): 0.89°C/W
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 780 mJ
• Body Diyot İleri Voltaj Düşümü (V_SD): -1.5V
• Body Diyot Reverse Recovery Süresi (t_rr): 400ns
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRF9540N P-Kanal Power MOSFET TO-220'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Yüksek Taraf Anahtarlama

• Batarya koruması ve yönetimi
• Pozitif besleme kontrolü
• Yüksek taraf yük anahtarlama
• Güç dağıtım sistemleri
• Aküden çalışan cihazlar

Motor Kontrolü

• DC motor sürücüleri
• H-köprü devreleri (P-kanal tarafı)
• Robot projeleri
• Otomotiv uygulamaları
• Fan kontrol devreleri

Güç Yönetimi

• DC-DC konvertörler
• Akım sınırlama devreleri
• Sıcaklık kontrollü güç yönetimi
• Elektronik sigortalar
• Soft-start devreleri

Avantajlar ve Özellikler

IRF9540N P-Kanal Power MOSFET TO-220'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

• P-Kanal Yapısı: Yüksek taraf anahtarlama için basit sürüş imkanı
• Yüksek Voltaj Dayanımı: -100V ile güvenli çalışma marjı
• Makul Akım Kapasitesi: -23A sürekli, -92A puls akım taşıyabilme
• TO-220 Paketi: Kolay montaj ve etkili ısı dağıtımı
• Orta Düzey RDS(on): 0.117Ω ile verimli güç kontrolü
• Kolay Sürüş: Standart lojik seviyelerle kontrol imkanı
• Avalanche Dayanımı: 780 mJ ile güvenilir koruma
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası çalışabilme
• Kolay Bulunabilirlik: Yaygın kullanılan ve temin edilebilen model
• Uygun Fiyat: Performans/maliyet oranı yüksek

Uygulama ve Devre Tasarımı

IRF9540N P-Kanal Power MOSFET TO-220 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel Bağlantı Şemaları:

• Yüksek Taraf Anahtarlama: Source pini güç kaynağına, Drain pini yüke bağlanır
• Gate Kontrolü: Gate'i Source'dan daha negatif yapmak için transistör veya sürücü devresi kullanılır
• Gate Koruması: Gate-Source arasına 15V zener diyot (ters yönde) bağlanır
• Pull-Up Direnci: Gate-Source arasına 10kΩ pull-up direnci kapalı durumda tutmak için gereklidir
• Soğutma: TO-220 paketine uygun alüminyum soğutucu ve termal macun

Batarya Koruma Devresi Örneği:

• Komponentler: IRF9540N, zener diyot, 10kΩ pull-up direnci, komparatör devresi
• Bağlantı: MOSFET Source->Batarya+, Drain->Yük+, Batarya- ve Yük- ortak
• Koruma: Aşırı deşarj durumunda komparatör Gate'i düşürür, MOSFET kapatılır
• Kontrol: Gerektiğinde mikrodenetleyici veya voltaj izleme devresi ile gate kontrol edilir
• Ek Özellikler: Aşırı akım koruması için akım algılama direnci ve karşılaştırıcı eklenir

Sorun Giderme ve İpuçları

IRF9540N P-Kanal Power MOSFET TO-220 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• MOSFET Açılmıyor: Gate voltajı yetersiz, Source'a göre yeterince negatif değil.
• Aşırı Isınma: Yüksek RDS(on) değeri veya yetersiz soğutma, soğutucu ekleyin.
• Kararsız Anahtarlama: Gate sürüşü zayıf, gate sürücü devresi veya düşük değerli gate direnci kullanın.
• Lojik Seviye Uyumsuzluğu: Seviye dönüştürücü veya transistör arayüzü ekleyin.
• İstenmeyen Açılma: Pull-up direnci eksik, Gate-Source arasına 10kΩ direnç ekleyin.

Tasarım ve Montaj İpuçları

• P-kanal MOSFET'ler N-kanal türlerine göre daha yüksek RDS(on) değerine sahiptir, kaybı hesaplayın
• 10A üzerindeki uygulamalarda mutlaka soğutucu kullanın
• Gate ve Source arasındaki gürültüyü önlemek için kontrol devresini yakın yerleştirin
• MOSFET'i anahtarlama amacıyla lineer bölgede çalıştırmaktan kaçının, ısınma artar
• İndüktif yükler için Drain-Source arasına (ters yönde) hızlı diyot ekleyin

Paket İçeriği

• IRF9540N P-Kanal Power MOSFET TO-220

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular