K40T120 ( IKW40N120T) 1200V 40A Igbt Transistör To-247

Görsel 1
VoltajPuan : 2.299
Fiyat:
7,32 USD + KDV
İndirimli Fiyat (%20,1) :
5,85 USD + KDV
Kazancınız 1,47 USD
KDV Dahil:
275,90 TL
29,42 TL'den başlayan taksit seçenekleri için tıklayın.
Aynı Gün Kargo

K40T120 IKW40N120T 1200V 40A IGBT Transistör TO-247

K40T120 (IKW40N120T), ultra yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamaları için tasarlanmış güçlü bir IGBT transistördür. TO-247 paketinde sunulan bu güç komponenti, 1200V kolektör-emitör voltajı ve 40A sürekli kolektör akımı kapasitesi ile endüstriyel güç elektroniği uygulamaları için ideal bir çözüm sunar.

MOSFET ve BJT teknolojilerinin avantajlarını birleştiren bu elektronik komponent, yüksek akım taşıma kapasitesi ve üstün anahtarlama özellikleri ile güç dönüştürücüler, inverterler ve motor sürücü uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar.

Dahili hızlı geri toparlanma diyodu (FRD) içeren TRENCHSTOP™ teknolojisiyle üretilen K40T120, endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans arayan mühendisler için tasarlanmış, dayanıklı ve yüksek performanslı bir transistör çözümüdür.


Teknik Özellikler

K40T120 IKW40N120T 1200V 40A IGBT Transistör TO-247'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

  • Üretici: Infineon Technologies
  • Transistör Tipi: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Paket / Kılıf: TO-247 (TO-3P)
  • Kollektör-Emitör Voltajı (VCES): 1200V
  • Gate-Emitör Voltajı (VGES): ±20V
  • Sürekli Kollektör Akımı (IC): 40A (100°C'de)
  • Puls Kollektör Akımı (ICM): 160A (puls)
  • Kollektör Disipasyonu (PC): 285W (25°C'de)
  • Doyum Voltajı (VCE(sat)): 1.8V (tipik, IC=40A, Tj=150°C)
  • Gate Eşik Voltajı (VGE(th)): 5.2V (tipik)
  • Teknoloji: TRENCHSTOP™ IGBT (T serisi)
  • Dahili Diyot: Evet (Hızlı Geri Toparlanma Diyodu - FRD)
  • Diyot İleri Voltajı (VF): 1.8V (tipik, IF=40A)
  • Diyot Geri Toparlanma Zamanı (trr): 285ns (tipik)
  • Açılma Gecikmesi (td(on)): 15ns (tipik)
  • Kapanma Gecikmesi (td(off)): 280ns (tipik)
  • Toplam Gate Yükü (Qg): 135nC (tipik)
  • Giriş Kapasitansı (Cies): 3.15nF (tipik)
  • Çıkış Kapasitansı (Coes): 140pF (tipik)
  • Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası
  • Termal Direnç (Junction to Case): 0.44°C/W
  • Termal Direnç (Junction to Ambient): 40°C/W
  • Montaj Torku: 0.8-1.2 Nm
  • Paket Boyutları: 15.8mm x 20.0mm x 5.0mm (yaklaşık)
  • Pin Yapılandırması: 1-Gate, 2-Collector, 3-Emitter
  • Ağırlık: 4.5g (yaklaşık)
  • RoHS Uyumluluğu: Evet
  • Kısa Devre Süresi: 5μs (tipik, Tj=150°C)
  • Enerji Kaybı (Eon+Eoff): 3.1mJ (tipik, VCC=600V, IC=40A)
  • Montaj Şekli: Through-hole (Delikli montaj)

Kullanım Alanları

K40T120 IKW40N120T 1200V 40A IGBT Transistör TO-247'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Güç Dönüştürücü Sistemleri

  • Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
  • Kesintisiz güç kaynakları (UPS)
  • Solar inverterler
  • Güç faktörü düzeltme devreleri (PFC)
  • Rezonans konvertörler

Motor Sürücü Uygulamaları

  • Endüstriyel AC motor sürücüleri
  • Servo motor kontrol sistemleri
  • BLDC motor kontrolörleri
  • Endüksiyon ısıtma sistemleri
  • Traksiyon kontrol devreleri

Endüstriyel Ekipmanlar

  • Kaynak makineleri
  • Endüstriyel güç kontrol sistemleri
  • Yüksek güçlü DC-DC çeviriciler
  • İndüksiyon ocakları
  • Medikal güç kaynakları

Avantajlar ve Özellikler

K40T120 IKW40N120T 1200V 40A IGBT Transistör TO-247'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

  • Ultra Yüksek Voltaj Dayanımı: 1200V VCES ile güvenilir çalışma marjı
  • Yüksek Akım Kapasitesi: 40A sürekli, 160A pik akım ile güçlü yük sürüşü
  • TRENCHSTOP™ Teknolojisi: Düşük anahtarlama kayıpları ve doyum voltajı
  • Dahili Hızlı Diyot: FRD ile endüktif yüklerde güvenli anahtarlama
  • Yüksek Kısa Devre Dayanımı: 5μs kısa devre dayanımı ile sağlam çalışma
  • Geniş Güvenli Çalışma Alanı (SOA): Güvenli operasyon marjı
  • TO-247 Paketi: Üstün termal performans ve kolay montaj
  • Geniş Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası güvenilir çalışma
  • Yüksek Verimlilik: Düşük anahtarlama ve iletim kayıpları
  • Pozitif Sıcaklık Katsayısı: Paralel bağlamada akım paylaşımı kolaylığı

Uygulama ve Devre Tasarımı

K40T120 IKW40N120T 1200V 40A IGBT Transistör TO-247 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

İpucu: Gate sürücü devresi kullanarak hızlı ve temiz gate sinyali sağlayın.

Temel IGBT Sürücü Devresi:

  • Gate Sürücü IC: IR2110, IR2113, HCPL-3120 gibi izole sürücüler
  • Gate Direnci: 10Ω-47Ω (açılma için), 10Ω-22Ω (kapanma için)
  • Gate Zener Koruması: 18V Zener diyot (gate-emitör arasına)
  • Miller Klemping: Paralel hızlı diyot ve düşük dirençli kapatma yolu
  • Snubber Devresi: RC veya RCD snubber ile anahtarlama gerilim piklerini bastırma

Yarım Köprü İnverter Konfigürasyonu:

  • DC Bağlantı Kapasitörleri: Düşük ESR değerli, yüksek voltaj film kapasitörler
  • Ölü Zaman Koruması: 1-2μs ölü zaman ile çapraz iletimi önleme
  • Bootstrap Besleme: Yüksek taraf gate sürücüsü için bootstrap devresi
  • Çıkış Filtreleme: LC filtre ile temiz çıkış sinyali
  • Aşırı Akım Koruması: Shunt direnç veya akım sensörü ile hızlı kesme

Soğutma ve Termal Yönetim:

  • Soğutucu Seçimi: 0.5°C/W veya daha düşük termal dirençli soğutucu
  • Termal Macun: Yüksek ısı iletkenlikli termal macun (>5W/m·K)
  • Montaj Torku: 1.0 Nm civarında, üretici spesifikasyonlarına uygun
  • Hava Akışı: Aktif soğutma için zorunlu hava akışı
  • Sıcaklık Sensörü: NTC veya PTC ile aşırı sıcaklık izleme

Sorun Giderme ve İpuçları

K40T120 IKW40N120T 1200V 40A IGBT Transistör TO-247 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

  • Aşırı Isınma: Soğutucuyu büyütün, termal macun kalitesini artırın, akım yükünü azaltın.
  • Anahtarlama Voltaj Pikileri: Snubber devre ekleyin, gate direncini artırın, bağlantı endüktansını azaltın.
  • Gate Sürücü Sorunları: Yalıtımlı güç kaynağı kullanın, bootstrap kapasitörünü artırın.
  • Kararsız Çalışma: Gate sürücü devresini gürültüden koruyun, düzgün PCB düzeni yapın.
  • IGBT Hasarı: Kısa devre koruması ekleyin, ölü zaman koruma devreleri kullanın.

Tasarım ve Uygulama İpuçları

  • Kolektör (tab) bağlantısı için geniş bakır yollar kullanın
  • Gate sürücü ve IGBT arasındaki bağlantıyı mümkün olduğunca kısa tutun
  • EMI azaltmak için Kelvin emitör bağlantısı kullanmayı düşünün
  • Yüksek frekanslı gürültüyü azaltmak için gate hattında ferrit boncuk kullanın
  • Termal ölçüm yaparak güvenli çalışma sıcaklığını doğrulayın
  • Devre içinde çoklu IGBT kullanırken eşit akım paylaşımı sağlayın

Paket İçeriği


İlgili Ürün Kategorilerimiz

Elektronik Komponentler

Çeşitli elektronik komponentler ile projelerinizi ve devrelerinizi geliştirebilirsiniz.

Ürünleri İncele →

Transistör

Çeşitli güç düzeylerinde transistörler ile güç kontrolü ve anahtarlama uygulamaları için çözümler.

Ürünleri İncele →

Neden Voltaj.Net'ten Almalısınız?

Voltaj.Net, elektronik komponentler konusunda Türkiye'nin güvenilir tedarikçisidir.

  • Kalite Güvencesi: Orijinal ve güvenilir elektronik komponentler
  • Teknik Destek: Ürün seçimi ve kullanımı konusunda uzman desteği
  • Hızlı Teslimat: Stoktan hızlı gönderim ve takip edilebilir kargo
  • Tamamlayıcı Ürünler: Geniş ürün yelpazesi
  • Uygun Fiyatlar: Kaliteden ödün vermeden rekabetçi fiyatlandırma
  • Güvenilir Alışveriş: Kolay sipariş ve iade süreci, güvenli ödeme seçenekleri

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular

IGBT nedir ve MOSFET'ten ne farkı vardır?

IGBT (Yalıtılmış Kapı Bipolar Transistör), MOSFET ve BJT teknolojilerini birleştirir. MOSFET'in kolay sürülebilirliği ile BJT'nin düşük iletim kaybını sunar. Yüksek voltaj uygulamalarında daha verimlidir.

K40T120 için önerilen gate voltajı nedir?

Açılma için +15V, kapanma için -5V ile 0V arası önerilir. Minimum açılma eşiği 5.2V olsa da, tam iletim ve düşük kayıplar için +15V gate voltajı idealdir.

TRENCHSTOP™ teknolojisi ne avantaj sağlar?

Düşük iletim kayıpları, hızlı anahtarlama performansı ve düşük kapanma enerjisi sağlar. Dikey kanal yapısıyla güç yoğunluğunu artırır ve sıcaklık kararlılığını iyileştirir.

IGBT güvenli bir şekilde paralel bağlanabilir mi?

Evet, K40T120 pozitif sıcaklık katsayısı sayesinde paralel bağlanabilir. Her IGBT için ayrı gate direnci kullanın ve termal bağlantıları simetrik yapın, akım paylaşımı dengelenecektir.

Uygun soğutucu nasıl seçilir?

Rth(j-a) = [Tj(max) - Ta(max)] / P formülüyle hesaplanır. K40T120 için 0.5°C/W altında termal direnç, kaliteli termal macun ve TO-247 uyumlu montaj kiti kullanılmalıdır.

Dahili diyot hangi avantajları sağlar?

Endüktif yüklerin anahtarlanmasında ters EMK koruması sağlar. Hızlı geri toparlanma özelliği (FRD) sayesinde anahtarlama kaybını azaltır ve harici diyot ihtiyacını ortadan kaldırır.

Snubber devresi neden gereklidir?

Anahtarlama sırasında oluşan voltaj piklerini sönümler. Devredeki parazitik endüktanslar yüksek dV/dt sırasında tehlikeli gerilim pikileri oluşturabilir. RC veya RCD snubber bu sorunu çözer.

IGBT'nin maksimum anahtarlama frekansı nedir?

K40T120 tipik olarak 20-30kHz frekans aralığında verimli çalışır. Yüksek frekanslarda anahtarlama kayıpları artar. Düşük EndQg Gate yükü sayesinde 50kHz'e kadar kullanılabilir.

Diğer Özellikler
Stok KoduVLT-1750
Marka-
Stok DurumuVar
Geniş ürün yelpazesi
1000 TL üzeri siparişler ücretsiz teslimat
Daima ekonomik
Piyasadaki en iyi fiyat

PlatinMarket® E-Ticaret Sistemi İle Hazırlanmıştır.