IRF640NSTRLPBF-IR 18A 200V N Kanal Mosfet T0-263-3 (D2PAK-3)
Bu N-kanal MOSFET, yüksek akım ve voltaj dayanımıyla güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 200V maksimum çalışma gerilimi ve 18A sürekli akım kapasitesi ile yüksek verimli güç anahtarlama uygulamalarında idealdir. HEXFET teknolojisi, düşük direnç (R_DS(on)) ve yüksek anahtarlama hızları sunarak güç kayıplarını minimize eder. TO-263 (D2PAK) SMT paketi, yüzey montaj uygulamalarında kolay entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
- Teknoloji:HEXFET
- Fet Tipi:N-CH
- Akım (25°C):18A
- Voltaj:200V
- Rds On:150m Ohm
- Montaj Tipi:SMT
- Çalışma Sıcaklığı:-55°C~+175°C
- Paket / Kasa:TO263-3 (D2PAK-3)
- Yapılandırma:Tek
- Üretici:IR
- Güç Dağılımı:150W
- Trr:251ns
- Rohs:ROHS
Anahtar Avantajlar
- 200V yüksek voltaj dayanımı ile geniş kullanım alanı
- 18A yüksek akım kapasitesi, güçlü yükler için ideal
- HEXFET teknolojisi, düşük R_DS(on) ile güç kaybını azaltır
- Yüksek anahtarlama hızı, verimli ve hızlı yanıt veren sistemler için uygundur
- SMD (Yüzey Montaj) TO-263 paketi, kompakt devre tasarımları için ideal
Uygulama Alanları
- Güç kaynağı devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
- Motor sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemleri
- DC-DC dönüştürücüler ve invertörler
- Akü şarj devreleri ve enerji yönetimi
- LED sürücü devreleri
Paket İçeriği
1 Adet IRF640NSTRLPBF-IR 18A 200V N Kanal Mosfet T0-263-3 (D2PAK-3)
