Yüksek Doğrusallık Geniş Bant RF Amplifikatör Modülü 0.05-6G
Yüksek Doğrusallık Geniş Bant RF Amplifikatör Modülü 0.05-6G Yüksek performanslı InGaP HBT MMIC amplifikatörü, Darlington konfigürasyonunu ve aktif bias ağını benimser. Aktif bias ağ, sıcaklık ve test süreci ile değişen kararlı bir akım sağlar. Doğrudan bir 5V güç kaynağından çalışacak şekilde tasarlandığından, tipik bir Darlington amplifikatörüne kıyasla düşürme direnci gerektirmez. Ürün, yüksek doğrusallık, küçük boyut ve minimum harici 5V kazanç için tasarlanmıştır. Teknik Özellikler Besleme voltajı: tipik +5V (tipik akım değeri 90mA) Kazanç: tipik değer 20dB@2G Giriş ve çıkış empedansı: 50 ohm Maksimum çıkış gücü: P1db +20dBm(@2GHz) Giriş sinyali:.