IRF730 N Kanal Power Mosfet 100V 5.5A To-220

IRF730 N-Kanal Power MOSFET 100V 5.5A TO-220

IRF730, orta güç uygulamaları için tasarlanmış, güvenilir ve çok yönlü bir N-kanal güç MOSFET'idir. 100V drain-source voltajı ve 5.5A sürekli akım kapasitesi ile motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devreleri için ideal bir yarı iletken elemandır.

TO-220 paketinde sunulan bu elektronik komponent, kolay montaj ve etkili ısı dağıtımı sağlar. 1.0 Ohm RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında verimli anahtarlama performansı sunar. Sağlam yapısı ve yüksek voltaj dayanımı ile güvenilir çalışma imkanı tanır.

Güç kontrolü, anahtarlama ve sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılan IRF730, LED dimmer devreleri, DC motor kontrol üniteleri ve endüstriyel ekipmanlarda tercih edilir. Potansiyometre ile kombine edilerek manuel güç kontrol devreleri oluşturulabilir.

Teknik Özellikler

IRF730 N-Kanal Power MOSFET 100V 5.5A TO-220'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: Infineon / International Rectifier
• MOSFET Tipi: N-Kanal
• Paket / Kılıf: TO-220
• Drain-Source Voltajı (V_DSS): 100V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): 5.5A @ 25°C
• Pulslu Drain Akımı (I_DM): 22A (kısa süreli)
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2.0V - 4.0V
• Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 1.0Ω @ V_GS = 10V
• Logic Level Gate: Hayır (standart gate voltajı)
• Gate Şarj (Q_g): 12 nC (tipik)
• Açma/Kapama Gecikme Süresi: t_d(on) = 13ns, t_d(off) = 35ns
• Yükselme/Düşme Süresi: t_r = 15ns, t_f = 11ns
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 350 pF
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 110 pF
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 10 pF
• Toplam Gate Şarj (Q_g): 12 nC
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 75W
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası
• Termal Direnç (R_θJC): 1.67°C/W
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 68 mJ
• Body Diyot İleri Voltaj Düşümü (V_SD): 1.3V
• Body Diyot Reverse Recovery Süresi (t_rr): 150ns
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRF730 N-Kanal Power MOSFET 100V 5.5A TO-220'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Motor Kontrolü

• Küçük-orta boy DC motor sürücüleri
• PWM tabanlı hız kontrol devreleri
• Robot projeleri
• Adım motor sürücü devreleri
• Fan kontrol sistemleri

Güç Elektroniği

• Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
• DC-DC dönüştürücüler
• Solar şarj kontrol üniteleri
• Güç inverter devreleri
• Batarya şarj sistemleri

Aydınlatma ve Kontrol

• LED dimmer devreleri
• PWM kontrollü aydınlatma sistemleri
• Elektronik yük anahtarlama
• İndüktif yük kontrolü
• Otomotiv elektronik sistemleri

Avantajlar ve Özellikler

IRF730 N-Kanal Power MOSFET 100V 5.5A TO-220'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Yüksek Voltaj Dayanımı: 100V drain-source voltajı ile güvenli çalışma marjı
• Uygun Akım Kapasitesi: 5.5A sürekli akımla orta güç uygulamaları için ideal
• Hızlı Anahtarlama: Düşük gate şarjı ve kapasitansı ile verimli çalışma
• TO-220 Paketi: Kolay montaj ve soğutucu bağlama imkanı
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası çalışabilme
• Entegre Body Diyot: İndüktif yüklerde koruma sağlar
• Makul RDS(on): 1.0Ω ile orta güç uygulamalarına uygunluk
• Düşük Gate Sürüş Gereksinimleri: 12 nC gate şarjı ile kolay sürüş
• Sağlam Yapı: Endüstriyel ortamlarda güvenilir performans
• Maliyet Etkin Çözüm: Uygun fiyatla kaliteli performans

Uygulama ve Devre Tasarımı

IRF730 N-Kanal Power MOSFET 100V 5.5A TO-220 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel Bağlantı Şemaları:

• Düşük Taraf Anahtarlama: Source pini toprağa, Drain pini yüke bağlanır
• Gate Sürüşü: Mikrodenetleyici veya sürücü devresinden 10-15V gate voltajı uygulanır
• Gate Koruması: Gate-Source arasına 10kΩ pull-down direnci ve 15V zener diyot
• İndüktif Yük Koruması: Drain-Source arasına 1N4007 veya UF4007 diyot bağlanır
• Soğutma: 3A üzerindeki uygulamalarda soğutucu kullanımı önerilir

DC Motor Kontrol Devresi Örneği:

• Komponentler: IRF730, Arduino veya mikrodenetleyici, 10kΩ direnç, 1N4007 diyot
• Bağlantı: MOSFET Source->GND, Drain->Motor-, Motor+->Güç Kaynağı+
• Kontrol: Mikrodenetleyici PWM çıkışı -> 10kΩ direnç -> MOSFET Gate
• Koruma: Motor terminalleri arasına flyback diyot, Gate-Source arasına pull-down direnci
• Notlar: 100V dayanımı 24V'a kadar motorlarda güvenli çalışma sağlar

Sorun Giderme ve İpuçları

IRF730 N-Kanal Power MOSFET 100V 5.5A TO-220 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• MOSFET Isınması: Yüksek RDS(on) değeri veya yetersiz soğutma, soğutucu ekleyin.
• Kısmi İletim: Gate voltajı yetersiz, 10V ve üzeri gate voltajı sağlayın.
• MOSFET Arızası: İndüktif geri tepme koruması eksik, flyback diyot ekleyin.
• Anahtarlama Gürültüsü: Hızlı geçişler, gate direnci ekleyin veya artırın.
• Lojik Seviye Uyumsuzluğu: IRF730 doğrudan 3.3V/5V ile tam sürülmez, seviye çevirici kullanın.

Tasarım ve Montaj İpuçları

• Düşük RDS(on) değerini elde etmek için gate voltajını 10-15V arasında tutun
• PWM frekansını 25kHz veya altında tutarak anahtarlama kayıplarını azaltın
• 3A üzeri uygulamalarda termal hesaplama yaparak uygun soğutucu seçin
• Mikrodenetleyici ile doğrudan sürüş için MOSFET sürücü entegresi veya transistör arayüzü kullanın
• PCB tasarımında Source bağlantısı için geniş toprak düzlemi oluşturun

Paket İçeriği

• IRF730 N-Kanal Power MOSFET 100V 5.5A TO-220

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular