IRF830 N-Kanal Power MOSFET 500V 5A TO-220
IRF830, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir N-kanal güç MOSFET'idir. TO-220 paketinde sunulan bu komponent, 500V maksimum drain-source gerilimi ve 5A sürekli akım kapasitesi ile zorlu güç elektroniği uygulamalarında güvenilir çalışma sağlar.
1.5 ohm RDS(on) değeri ile orta seviye güç uygulamaları için optimize edilmiş olan IRF830, anahtarlamalı güç kaynakları ve motor kontrol devreleri için ideal bir seçenektir. Elektronik komponentler arasında yüksek gerilim dayanımı ile öne çıkan bu MOSFET, TO-220 paketi sayesinde iyi ısı dağıtım özellikleri sunar.
Geniş güvenli çalışma alanı (SOA) ve yüksek dayanıklılığa sahip IRF830, endüstriyel uygulamalar ve yüksek voltajlı sistemler için yaygın olarak kullanılır. Potansiyometre ile kombinasyon halinde güç kontrolü sağlayan devrelerde güvenilir performans sergiler.
Teknik Özellikler
IRF830 N-Kanal Power MOSFET 500V 5A TO-220 ürününün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.
- Transistör Tipi: N-Kanal MOSFET
- Paket / Kılıf: TO-220
- Maksimum Drain-Source Voltajı (VDSS): 500V
- Sürekli Drain Akımı (ID): 5A @ TC = 25°C
- Pals Drain Akımı (IDM): 20A (darbe)
- Drain-Source Açık Direnci (RDS(on)): 1.5Ω @ VGS = 10V
- Maksimum Gate-Source Voltajı (VGS): ±20V
- Gate Eşik Voltajı (VGS(th)): 2,0V - 4.0V
- Gate-Source Şarj (Qg): 23nC (tipik)
- Giriş Kapasitansı (Ciss): 650pF (tipik)
- Çıkış Kapasitansı (Coss): 150pF (tipik)
- Geri Transfer Kapasitansı (Crss): 30pF (tipik)
- Açma Gecikmesi Süresi (td(on)): 18ns (tipik)
- Yükselme Süresi (tr): 40ns (tipik)
- Kapama Gecikmesi Süresi (td(off)): 45ns (tipik)
- Düşme Süresi (tf): 30ns (tipik)
- Maksimum Güç Dağılımı (PD): 75W @ TC = 25°C
- Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası
- Termal Direnç, Jonksiyondan Kutuya (RθJC): 1.67°C/W
- Termal Direnç, Jonksiyondan Ortama (RθJA): 62°C/W
- Avalanche Enerjisi (EAS): 390mJ (tek atım)
- Body Diyot İleri Voltajı (VSD): 1.5V (tipik)
- RoHS Uyumluluğu: Evet
Kullanım Alanları
IRF830 N-Kanal Power MOSFET 500V 5A TO-220'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve uygulama örnekleri.
Güç Kaynakları
- Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
- Yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüler
- PFC (Güç Faktörü Düzeltme) devreleri
- Flyback dönüştürücüler
- Forward dönüştürücüler
Motor Kontrol
- Orta güçlü motor sürücüleri
- Küçük inverter devreleri
- PWM motor hız kontrolü
- Step motor sürücüleri
- Servo kontrol devreleri
Endüstriyel Uygulamalar
- Röle sürücü devreleri
- Solenoid kontrol sistemleri
- Yüksek voltajlı anahtarlama devreleri
- Güç yönetim sistemleri
- Aydınlatma kontrol sistemleri
Avantajlar ve Özellikler
IRF830 N-Kanal Power MOSFET 500V 5A TO-220'nin sağladığı avantajlar ve öne çıkan özellikleri.
- Yüksek Voltaj Dayanımı: 500V maksimum drain-source gerilimi
- Sağlam Yapı: TO-220 paketi ile ısı yönetimi kolaylığı
- Orta Seviye Akım Kapasitesi: 5A sürekli akım taşıma
- Düşük Gate Yükü: Hızlı anahtarlama performansı
- Geniş Güvenli Çalışma Alanı (SOA): Zorlu koşullarda güvenilir çalışma
- Entegre Body Diyot: Endüktif yükler için koruma
- Uygun Fiyat/Performans Oranı: Ekonomik yüksek voltaj çözümü
- Geniş Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası çalışabilme
- Kolay Bulunabilirlik: Yaygın kullanılan endüstri standardı bir ürün
- RoHS Uyumluluğu: Çevre dostu yapı
Devre Tasarımı ve Kullanım
IRF830 N-Kanal Power MOSFET 500V 5A TO-220'nin devre tasarımında kullanımı hakkında bilgiler.
İpucu: Yüksek voltaja dayanıklı snubber devresi ekleyin ve izolasyon mesafelerine dikkat edin.
Pin Yapılandırması (TO-220):
- Pin 1: Gate (G)
- Pin 2: Drain (D)
- Pin 3: Source (S)
Temel Anahtarlama Devresi:
- Source'u toprak (GND) hattına bağlayın
- Drain'e yük bağlantısını yapın
- Gate'e kontrol sinyalini bağlayın
- Gate-Source arasına 10K-47K pull-down direnci ekleyin
- Gate koruma için 15-20V zener diyot kullanın
Yüksek Voltaj Uygulamaları:
- Drain-Source arasına RC snubber devresi ekleyin (tipik: 10-33 ohm + 1-10nF)
- PCB tasarımında yeterli izolasyon mesafesi bırakın
- Gate sürücü devresinde izolasyon sağlayın (optokuplör veya izole sürücü IC)
- Aşırı voltaj koruması için MOV veya TVS diyotlar kullanın
- Yüksek voltaj hatlarını kontrol devrelerinden uzak tutun
Isı Yönetimi:
- TO-220 paketini uygun ısı emiciye monte edin
- Isı transferi için termal macun kullanın
- Isı emici boyutunu güç kaybına göre hesaplayın: P = I²xRDS(on)
- 5A'e yakın akımlarda aktif soğutma düşünün
- Jonksiyon sıcaklığını 150°C'nin altında tutun
Gate Sürücü Devresi:
- 10-15V gate voltajı sağlayan sürücü devresi tasarlayın
- Düşük empedanslı çıkış kademesi kullanın
- Gate direncini anahtarlama hızı ve EMI arasında optimum değerde seçin
- Optokuplör ile izolasyon sağlayın
- Gate sürücü ile MOSFET arasındaki bağlantıyı kısa tutun
Sorun Giderme ve İpuçları
IRF830 N-Kanal Power MOSFET 500V 5A TO-220 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.
Yaygın Sorunlar ve Çözümleri
- Aşırı Isınma: Daha büyük ısı emici kullanın veya akım değerini düşürün
- Voltaj Sıçramaları: Snubber devresi ekleyin ve layout optimizasyonu yapın
- Yavaş Anahtarlama: Gate sürücü gücünü artırın ve gate direncini azaltın
- İstenmeyen Tetikleme: Gate pull-down direnci değerini düşürün ve gürültü filtresi ekleyin
- Yetersiz Sürme: Gate voltajını 10-12V seviyesinde tutarak tam açılma sağlayın
Yüksek Voltaj Devreleri İçin İpuçları
- PCB tasarımında creepage ve clearance mesafelerine dikkat edin
- Yüzey sızıntı akımlarını azaltmak için konformal kaplama kullanın
- Yüksek voltaj kontrol hattında düşük gerilim devresinden izolasyon sağlayın
- Voltaj transientleri için TVS diyot veya MOV koruma ekleyin
- Test ve ölçüm sırasında yüksek voltaj güvenlik önlemlerini uygulayın
Performans İyileştirme İpuçları
- Drain devre indüktansını azaltmak için geniş PCB yolları kullanın
- Açma ve kapama için ayrı gate dirençleri kullanarak anahtarlama optimizasyonu yapın
- MOSFET seçiminde tam açılma RDS(on) değerini dikkate alın
- Endüktif yüklerde freewheeling diyot ekleyin
- Yüksek frekans kullanımında düşük ESR/ESL kapasitörler tercih edin
Paket İçeriği
İlgili Ürün Kategorilerimiz
Çeşitli elektronik komponentler ile projelerinizi ve devrelerinizi geliştirebilirsiniz.
Ürünleri İncele →
Değişken direnç ihtiyaçlarınız için çeşitli potansiyometre ürünleri.
Ürünleri İncele →
Neden Voltaj.Net'ten Almalısınız?
Voltaj.Net, elektronik komponentler ve güç elektroniği ürünleri konusunda Türkiye'nin güvenilir tedarikçisidir.
- Kalite Güvencesi: Orijinal ve güvenilir ürünler
- Teknik Destek: Uzman ekip ile çözüm ve danışmanlık
- Hızlı Teslimat: Stoktan hızlı gönderim imkanı
- Geniş Ürün Yelpazesi: Projeleriniz için gerekli tüm komponentler
- Uygun Fiyatlar: Rekabetçi fiyatlarla kaliteli ürünler
- Güvenilir Alışveriş: Kolay sipariş ve güvenli ödeme seçenekleri
Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular
IRF830'u IRF840'tan ayıran temel farklar nelerdir?
IRF830 5A akım kapasitesine sahipken IRF840 8A sunuyor. IRF830'un RDS(on) değeri 1.5Ω iken IRF840'ta bu değer 0.85Ω'dur. Voltaj dayanımı her ikisinde de 500V'tur.
Bu MOSFET 500V uygulamalar için güvenli mi?
Evet, ancak gerçek uygulamalarda voltaj sıçramalarına karşı güvenlik marjı bırakarak 350-400V aralığında kullanmak daha güvenlidir. Snubber devresi eklemek şiddetle önerilir.
Snubber devresi nasıl tasarlanır?
Drain-source arasına seri bağlı 10-33 ohm direnç ve 1-10nF yüksek voltaja dayanıklı seramik kapasitör ekleyin. Direnç en az 1W gücünde olmalıdır.
Bu MOSFET hangi frekansta çalışabilir?
Anahtarlama sürelerine bağlı olarak 50-150 kHz aralığında verimli çalışır. Yüksek frekanslarda kayıplar artar ve çalışma verimi düşer.
Yeterli soğutma olmadan maksimum ne kadar akım çekebilir?
Ek soğutma olmadan, oda sıcaklığında PCB montajı ile yaklaşık 1-2A sürekli akım güvenlidir. Daha yüksek akımlar için mutlaka ısı emici gereklidir.
TO-220 paketini soğutucuya monte ederken nelere dikkat edilmeli?
Termal macun kullanın, montaj vidasını aşırı sıkmayın, gerekirse izolasyon pedi ekleyin ve ısı emicinin boyutunu güç kaybına göre seçin.
Optokuplör ile nasıl sürülür?
Optokuplörün çıkışını pull-up direnci ile 10-15V'a bağlayın. Seri gate direnci (10-100 ohm) ekleyin ve gate-source arasına pull-down direnci koyun.
RDS(on) değeri sıcaklıkla nasıl değişir?
Sıcaklık arttıkça RDS(on) değeri de artar. 100°C'de oda sıcaklığına göre yaklaşık 1.5-2 kat daha yüksek olabilir.
