6N60 N Kanal Power Mosfet 600V 6.2A To-220

6N60 N-Kanal Power MOSFET 600V 6.2A TO-220

6N60, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-kanal güç MOSFET'idir. TO-220 paketinde sunulan bu komponent, 600V maksimum drain-source voltajı ile güç elektroniği uygulamalarında güvenilir performans sağlar.

Endüstriyel standart TO-220 paketi ile kolay montaj ve uygun soğutma imkanı sunan 6N60, anahtarlamalı güç kaynaklarından yüksek voltajlı sürücülere kadar birçok alanda kullanılır. Elektronik komponentler arasında özellikle şebeke voltajı ile çalışan devrelerde tercih edilen bu MOSFET, makul iletim kayıpları sunar.

6.2A sürekli akım kapasitesi ve optimize edilmiş anahtarlama performansı ile 6N60, fiyat-performans dengesi arayan projeler için ideal bir seçimdir. MOSFET teknolojisinin güvenilirliğini yüksek voltaj uygulamalarına taşıyan bu komponent, LED sürücüler ve SMPS tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

6N60 N-Kanal Power MOSFET 600V 6.2A TO-220 ürününün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• MOSFET Tipi: N-Kanal
• Maksimum Drain-Source Voltajı (V_DSS): 600V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): 6.2A @ 25°C
• Maksimum Drain Akımı (Anlık): 18,6A (Pulse)
• Drain-Source On Direnci (R_DS(on)): 1.2Ω (typical) @ V_GS = 10V
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±30V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2.0V - 4.0V
• Gate Şarjı (Q_g): 23nC (typ)
• Açma Gecikmesi Süresi (t_d(on)): 18ns (typ)
• Yükselme Süresi (t_r): 35ns (typ)
• Kapama Gecikmesi Süresi (t_d(off)): 50ns (typ)
• Düşme Süresi (t_f): 28ns (typ)
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 750pF (typ)
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 80pF (typ)
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 12pF (typ)
• Paket / Kılıf: TO-220
• Maksimum Çalışma Sıcaklığı (T_J): 150°C
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 40W @ 25°C
• Termal Direnç (R_thJC): 3.1°C/W
• Kanal Sıcaklık Katsayısı: Pozitif

Kullanım Alanları

6N60 N-Kanal Power MOSFET 600V 6.2A TO-220'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve uygulama örnekleri.

Güç Kaynakları

• Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
• Flyback dönüştürücüler
• Forward dönüştürücüler
• PFC (Güç Faktörü Düzeltme) devreleri
• Batarya şarj devreleri

Aydınlatma Uygulamaları

• LED sürücü devreleri
• Elektronik balastlar
• Dimmer devreleri
• Aydınlatma kontrolörleri
• Yüksek voltajlı LED uygulamaları

Endüstriyel Uygulamalar

• Solenoid sürücüleri
• Röle kontrol devreleri
• Motor kontrol sistemleri
• Yüksek voltajlı anahtarlama devreleri
• Elektrostatik ekipman kontrolleri

Avantajlar ve Özellikler

6N60 N-Kanal Power MOSFET 600V 6.2A TO-220'nin sağladığı avantajlar ve öne çıkan özellikleri.

• Yüksek Voltaj Dayanımı: 600V voltaj değeri ile şebeke uygulamaları için ideal
• TO-220 Paket: Kolay montaj ve etkin soğutma imkanı
• Hızlı Anahtarlama: 35ns yükselme süresi ile verimli çalışma
• Orta Düzey Akım Kapasitesi: 6.2A sürekli akım ile çoğu uygulama için yeterli
• Avalanche Dayanıklılığı: Belirli enerji seviyelerine kadar tekrarlı avalanche dayanımı
• Güvenli Çalışma Alanı: Geniş güvenli çalışma alanı (SOA) karakteristiği
• Endüstriyel Standart Pin Dizilimi: Diğer TO-220 komponentler ile uyumlu
• Termal Stabilite: Güvenilir termal performans
• Maliyet Etkinlik: Yüksek voltaj uygulamaları için uygun fiyatlı çözüm
• Kolay Sürülebilirlik: Standard gate kontrol voltajları ile çalışabilme

Devre Tasarımı ve Kullanım

6N60 N-Kanal Power MOSFET 600V 6.2A TO-220'nin devre tasarımında kullanımı hakkında bilgiler.

Temel Bağlantı Yapılandırması:

• Drain (Pin 2): Yüksek voltaj bağlantısı, TO-220 tab'ı da drain ile bağlantılıdır
• Gate (Pin 1): Kontrol sinyali girişi
• Source (Pin 3): Referans potansiyeli veya toprak bağlantısı
• Tab/Case: Drain ile bağlantılıdır, soğutucuya montajda izolasyon gereklidir

Gate Sürücü Devresi:

• Gate'e 47-100Ω direnç bağlayarak sürün
• Gate-Source arası 15-20V zener diyot ile aşırı voltaj koruması sağlayın
• Yüksek voltajlı uygulamalarda optokuplör veya gate sürücü IC kullanın
• Gate hattını kısa tutun ve gürültüden koruyun
• Pull-down direnci (10-100kΩ) ile istenmeyen tetiklemeleri önleyin

Soğutma ve Termal Yönetim:

• 3A üzeri uygulamalarda soğutucu kullanın
• Soğutucu ile MOSFET arasına izolasyon pedi yerleştirin
• Termal macunu ince ve eşit şekilde uygulayın
• Güç dağılımını hesaplayarak uygun soğutucu boyutu seçin
• Uzun süreli yüksek akım uygulamalarında jonksiyon sıcaklığını 110°C altında tutun

Koruma Devreleri:

• İndüktif yüklere karşı flyback diyot kullanın
• Drain-Source arası TVS (Transient Voltage Suppressor) diyot ile aşırı voltaj koruması ekleyin
• Gate-Source arası 15V zener diyot ile gate koruması sağlayın
• RC snubber devresi ile dv/dt oranını sınırlayın
• Aşırı akım durumlarına karşı akım algılama ve sınırlama devreleri tasarlayın

Sorun Giderme ve İpuçları

6N60 N-Kanal Power MOSFET 600V 6.2A TO-220 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• MOSFET Hasarı: Aşırı voltaj veya akım durumlarında hızlı hasar görebilir
• Yüksek Anahtarlama Kayıpları: Yavaş anahtarlama veya yetersiz sürücü
• Yetersiz Gate Sürücü: Zayıf gate sürücü devresi veya yüksek gate direnci
• Parazitik Salınımlar: Uzun gate veya drain hatları
• Termal Sorunlar: Yetersiz soğutma veya izolasyon problemleri

Performans İyileştirme İpuçları

• Yüksek voltajlı uygulamalarda bootstrap sürücüler kullanın
• Yüksek frekanslı uygulamalarda düşük gate direnci tercih edin
• Hızlı kapatma için source'a küçük direnç ve gate-source arası schottky diyot ekleyin
• Anahtarlama gürültüsünü azaltmak için RC snubber devresi uygulayın
• Miller etkisini azaltmak için uygun gate sürücü topolojisi seçin

Yüksek Voltaj Uygulamaları İçin İpuçları

• PCB tasarımında yüksek voltaj hatları için yeterli izolasyon mesafesi bırakın
• Creepage ve clearance standartlarını dikkate alın
• Drain hattında gürültü bastırma filtreleri kullanın
• PCB'de konform kaplama uygulayarak nem ve kirlenmeye karşı koruyun
• Gate sürücü ve kontrol devresini yüksek voltaj katından izole edin

Paket İçeriği

• 6N60 N-Kanal Power MOSFET 600V 6.2A TO-220

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular