MJD122T Transistör Npn Smd To-252

MJD122T Transistör NPN SMD TO-252

MJD122T, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamaları için tasarlanmış güçlü bir NPN Darlington transistördür. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V kolektör-emitör dayanımı ve 5A sürekli akım kapasitesi ile endüstriyel kontrol sistemleri ve güç uygulamaları için idealdir.

Dahili baz-emitör direnci ve koruyucu diyot içeren bu elektronik komponent, yüksek akım kazancı sayesinde düşük baz akımı ile yüksek güçte yük kontrolü sağlar ve modern elektronik devrelerde güvenilir ve kompakt bir çözüm sunar.

Darlington yapısı sayesinde son derece yüksek DC akım kazancı (hFE) sunarak, mikrodenetleyicilerden ve düşük güçlü kaynaklardan doğrudan sürülebilen MJD122T, güç transistör ailesinin kompakt ve dayanıklı bir üyesidir.

Teknik Özellikler

MJD122T Transistör NPN SMD TO-252'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: ON Semiconductor / STMicroelectronics
• Transistör Tipi: NPN Darlington Güç Transistörü
• Paket / Kılıf: TO-252 (DPAK) SMD
• Kollektör-Emitör Voltajı (V_CEO): 100V
• Kollektör-Baz Voltajı (V_CBO): 100V
• Emitör-Baz Voltajı (V_EBO): 5V
• Sürekli Kollektör Akımı (I_C): 5A
• Pik Kollektör Akımı (I_CM): 8A (puls)
• Kollektör Disipasyonu (P_C): 15W (25°C'de, uygun ısı emici ile)
• DC Akım Kazancı (h_FE): 1000-20000 (I_C=3A, V_CE=3V)
• Kollektör-Emitör Doyum Voltajı (V_CE(sat)): 2.0V (tipik, I_C=5A)
• Baz-Emitör Voltajı (V_BE): 2.5V (tipik, I_C=5A)
• Dahili Baz Direnci: Var
• Dahili Koruma Diyodu: Var
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -65°C ile +150°C arası
• Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (T_j): 150°C
• Termal Direnç (Junction to Case): 8.33°C/W
• Termal Direnç (Junction to Ambient): 62.5°C/W
• Açılma Zamanı (t_on): 0.5μs (tipik)
• Depolama Zamanı (t_s): 2.0μs (tipik)
• Düşme Zamanı (t_f): 1.5μs (tipik)
• Pin Yapılandırması: 1-Baz, 2-Kolektör (Tab bağlantılı), 3-Emitör
• Montaj Şekli: Yüzey Montaj (SMD/SMT)
• Paket Boyutları: 6.6mm x 9.9mm x 2.3mm (yaklaşık)
• Tab Bağlantısı: Kolektör ile bağlantılı (ısı dağıtımı için)
• Güç Dağılımı (PCB Üzerinde): 2.0W (PCB soğutması ile)
• Ağırlık: 0.3g (yaklaşık)
• RoHS Uyumluluğu: Evet
• Darlington Yapı: 2 transistör kaskad bağlantılı
• Alternatif Kod: TIP122 / BD679'un SMD versiyonu

Kullanım Alanları

MJD122T Transistör NPN SMD TO-252'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Güç Kontrol Uygulamaları

• Solenoid ve valf sürücüleri
• Motor sürücü devreleri
• Güç röle kontrol sistemleri
• Yüksek akımlı LED sürücüleri
• Endüstriyel kontrol sistemleri

Endüstriyel Otomasyon

• Yük anahtarlama devreleri
• Isıtıcı kontrol sistemleri
• Robotik kontrol uygulamaları
• Sensör-aktüatör arayüzleri
• Güç dağıtım sistemleri

Güç Yönetimi

• Aktif yük anahtarlama
• Akım sınırlayıcı devreler
• Güç kaynağı kontrol devreleri
• Batarya şarj kontrol sistemleri
• Sıcaklık kontrollü güç yönetimi

Avantajlar ve Özellikler

MJD122T Transistör NPN SMD TO-252'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Darlington Yapısı: Yüksek akım kazancı (hFE > 1000) ile düşük baz akımı
• Kompakt DPAK Paketi: PCB alanından tasarruf sağlayan SMD tasarım
• Yüksek Voltaj Dayanımı: 100V VCEO ile güvenli yük kontrolü
• Yüksek Akım Kapasitesi: 5A sürekli, 8A pik akım taşıma
• Dahili Koruyucu Elemanlar: Entegre baz direnci ve koruma diyodu
• Geniş Metal Tab: Etkili ısı dağıtımı sağlayan kolektör bağlantılı metal yüzey
• Düşük Baz Akımı: 5A çıkış için sadece 5mA giriş akımı yeterli
• Mikrodenetleyici Uyumluluğu: Doğrudan IO pinlerinden sürülebilme
• Geniş Çalışma Sıcaklık Aralığı: -65°C ile +150°C arası güvenilir çalışma
• Endüstriyel Standart: Yaygın Darlington güç transistörünün modern SMD versiyonu

Uygulama ve Devre Tasarımı

MJD122T Transistör NPN SMD TO-252 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Basit Yük Anahtarlama Devresi:

• Baz Direnci: 2.2kΩ - 10kΩ (mikrodenetleyici veya sinyal kaynağından)
• Baz-Emitör Direnci: 10kΩ - 47kΩ (opsiyonel pull-down)
• Kolektör Bağlantısı: Güç kaynağı pozitif terminaline
• Emitör Bağlantısı: Yüke ve oradan toprağa
• Koruma: Endüktif yükler için flyback diyot

DC Motor Hız Kontrolü:

• Kontrol Girişi: Mikrodenetleyiciden PWM sinyali
• Baz Direnci: 4.7kΩ (akım sınırlama)
• Filtre Kapasitörü: 100nF (gürültü bastırma)
• Koruma Diyodu: 1N4007 veya Schottky (motor terminalleri arasına)
• Soğutma: PCB üzerinde geniş bakır alan veya soğutucu

LED Aydınlatma Sürücüsü:

• LED Bağlantısı: Seri ve/veya paralel gruplar halinde (negatif yönde)
• Akım Sınırlama: Emitör yolunda seri direnç
• Kontrol Girişi: Analog sinyal veya PWM ile parlaklık kontrolü
• Kolektör Bağlantısı: Pozitif besleme voltajına
• Emitör Bağlantısı: LED anoduna

Sorun Giderme ve İpuçları

MJD122T Transistör NPN SMD TO-252 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Aşırı Isınma: Uygun PCB soğutma alanı oluşturun veya harici soğutucu ekleyin.
• Yüksek Voltaj Düşümü: Darlington'un 2V VCE(sat) değerini hesaba katın.
• Yavaş Anahtarlama: Baz kapasitansını hızlı şarj/deşarj için aktif sürücü kullanın.
• NPN Kutuplanma Hataları: Kolektör pozitif beslemede, emitör yük üzerinden GND'ye bağlı olmalı.
• Düzensiz Çalışma: Baz direncini azaltın veya hızlı anahtarlama için speedup devresi ekleyin.

PCB Tasarım İpuçları

• Kolektör tab'ı için en az 100mm² bakır alan oluşturun
• Termal via'lar kullanarak ısı dağılımını artırın
• Yüksek akım yolları için kalın PCB izleri (min. 2mm) kullanın
• Sıcaklığa duyarlı bileşenlerden uzak konumlandırın
• Çift taraflı PCB'de tab altına arka yüzeyde geniş bakır alan ekleyin
• SMD lehimlemede yeterli ısı ve lehim pastası kullanın

Paket İçeriği

• MJD122T Transistör NPN SMD TO-252

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular