IRFB4227 Mosfet Transistör To-220

IRFB4227 MOSFET Transistör TO-220

IRFB4227, yüksek akım kapasitesine sahip bir N-kanal güç MOSFET transistörüdür. TO-220 paketinde sunulan bu komponent, 200V drain-source voltajı ve 65A sürekli drain akımı ile güç elektroniği uygulamalarında üstün performans sağlar.

Ultra düşük on-direnç (RDS(on)) değeri sayesinde IRFB4227, minimum güç kaybı ve maksimum verimlilik sunar. Elektronik komponentler arasında yer alan bu güç MOSFET, yüksek akım ve yüksek hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda ideal bir seçimdir.

Dayanıklı yapısı ve geniş güvenli çalışma alanı (SOA) ile IRFB4227, endüstriyel güç sistemlerinden motor sürücülere kadar pek çok alanda kullanılabilir. Transistör teknolojisinde lider bir ürün olan IRFB4227, zorlu çalışma koşullarında bile güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

IRFB4227 MOSFET Transistör TO-220 ürününün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• MOSFET Tipi: N-Kanal
• Paket / Kılıf: TO-220 / TO-220AB
• Maksimum Drain-Source Voltajı (V_DSS): 200V
• Maksimum Gate-Source Voltajı (V_GSS): ±20V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): 65.0A @ 25°C
• Sürekli Drain Akımı (I_D): 46,0A @ 100°C
• Puls Drain Akımı (I_DM): 260A
• Drain-Source On Direnci (R_DS(on)): 22mΩ (typ) @ V_GS = 10V
• Drain-Source On Direnci (R_DS(on)): 29mΩ (max) @ V_GS = 10V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2.0V ile 4.0V arası
• Gate Şarjı (Q_g): 170nC (typ)
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 4600pF (typ)
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 500pF (typ)
• Açma Gecikmesi Süresi (t_d(on)): 22ns (typ)
• Yükselme Süresi (t_r): 120ns (typ)
• Kapama Gecikmesi Süresi (t_d(off)): 75ns (typ)
• Düşme Süresi (t_f): 84ns (typ)
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 250W @ 25°C
• Termal Direnç (R_θJC): 0.5°C/W
• Termal Direnç (R_θJA): 62°C/W
• Çalışma Sıcaklığı (T_J): -55°C ile +175°C arası
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 730mJ
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRFB4227 MOSFET Transistör TO-220'ün kullanılabileceği çeşitli alanlar ve uygulama örnekleri.

Güç Dönüştürücüler

• Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
• DC-DC dönüştürücüler
• İnverterler
• UPS sistemleri
• Batarya şarj devreleri

Motor Kontrol

• DC motor sürücüler
• BLDC motor sürücüler
• Servo sürücü devreleri
• PWM motor kontrolü
• Otomotiv motor sürücüleri

Endüstriyel Uygulamalar

• Yüksek akım röle yerine
• Solenoid sürücüler
• Isıtıcı kontrolü
• İndüksiyon ısıtma
• Lazer güç kaynakları

Avantajlar ve Özellikler

IRFB4227 MOSFET Transistör TO-220'ün sağladığı avantajlar ve öne çıkan özellikleri.

• Ultra Düşük RDS(on): 22mΩ (typ) ile minimum güç kaybı
• Yüksek Akım Kapasitesi: 65A sürekli drain akımı
• Yüksek Voltaj Dayanımı: 200V maksimum VDS
• TO-220 Paketi: Kolay soğutma ve montaj imkanı
• Geniş Güvenli Çalışma Alanı (SOA): Zorlu koşullarda güvenli çalışma
• Yüksek Avalanche Dayanımı: 730mJ avalanche enerjisi kapasitesi
• Uygun Gate Sürme Voltajı: 10V gate voltajı ile tam iletim
• Sağlam Yapı: Zorlu endüstriyel koşullara dayanıklılık
• Yüksek Güç Dağıtımı: 250W güç kapasitesi
• RoHS Uyumluluğu: Çevre dostu ürün

Devre Tasarımı ve Kullanım

IRFB4227 MOSFET Transistör TO-220'ün devre tasarımında kullanımı hakkında bilgiler.

Temel Bağlantı Yapılandırması:

• Drain (Metal Tab/Orta Pin): Yük bağlantısı
• Gate (Sol Pin): Kontrol sinyali girişi
• Source (Sağ Pin): Toprak veya referans seviyesi

Pin Yapılandırması:

• TO-220 paketinde pin dizilimi (önden bakıldığında): 1-Gate, 2-Drain, 3-Source
• Metal tab drain ile bağlantılıdır ve ana ısı dağıtım yüzeyidir
• Soğutucu kullanırken, tabın soğutucuya elektriksel bağlantısına dikkat edin
• Soğutucu ile tab arasında izolasyon gerekliyse, termal iletken pad kullanın
• Doğrulama için multimetre ile ölçüm yapılabilir

Gate Sürücü Devresi:

• Gate-source arasına 10-100kΩ pull-down direnci bağlayın
• Gate'e 10-22Ω seri direnç ekleyerek ringing'i azaltın
• Yüksek frekanslı uygulamalarda özel gate sürücü IC kullanın
• Gate voltajını 10-15V arasında tutarak tam açılmayı sağlayın
• Gate koruma için 18V zener diyot kullanılabilir

Termal Tasarım:

• 20A üzeri uygulamalarda soğutucu kullanımı zorunludur
• Soğutucu termal direnci ihtiyacı hesaplanmalıdır
• Termal macun kullanarak ısı transferini maksimize edin
• Yüksek akımda PCB üzerinde kalın bakır yollar kullanın
• Drain akımı arttıkça RDS(on) değerinin artacağını göz önünde bulundurun

Sorun Giderme ve İpuçları

IRFB4227 MOSFET Transistör TO-220 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Aşırı Isınma: Yetersiz soğutma veya akım limiti aşılması
• Gate Sürme Sorunları: Yetersiz gate voltajı veya yavaş anahtarlama
• Parazitik Salınımlar: Gate direnci eksikliği veya uzun bağlantı yolları
• İndüktif Yük Sorunları: Koruyucu diyot eksikliği veya yetersiz freewheeling yolu
• Termal Meseleleri: Soğutucu montaj hatası veya yetersiz termal macun

Yüksek Frekans Uygulamaları

• Yüksek gate şarjı (170nC) nedeniyle, güçlü gate sürücü devresi kullanın
• Gate bağlantısını kısa tutun ve low-side sürücüler tercih edin
• 100kHz üzeri uygulamalarda anahtarlama kayıplarını hesaba katın
• Miller kapasitansını (geri besleme etkisi) azaltmak için gate sürücü seçin
• Yüksek dV/dt ve dI/dt değerlerini sınırlayarak EMI sorunlarını azaltın

Güvenli Çalışma İpuçları

• Maksimum akım değerini 55A civarında sınırlayarak güvenlik marjı bırakın
• İndüktif yüklerde her zaman hızlı kurtarmalı diyot (örn. MUR1560) kullanın
• Aşırı akım koruması ekleyerek kısa devre durumlarına karşı koruyun
• VDS değerini 160V civarında sınırlayarak gerilim stresini azaltın
• Dead-time ekleyerek yarım köprü devrelerinde shoot-through sorunlarını önleyin

Paket İçeriği

• IRFB4227 MOSFET Transistör TO-220

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular