BD138 Transistör Bjt Pnp To-126

BD138 Transistör BJT PNP TO-126

BD138, güvenilir performans sunan bir PNP bipolar bileşke transistördür. TO-126 paketinde sunulan bu orta güçlü transistör, 1.5A kolektör akımı ve 60V maksimum kolektör-emitör voltajı ile çeşitli elektronik uygulamalar için ideal bir çözüm sunar.

Yüksek akım kazancı (hFE) karakteristiği ile güç kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılan bu elektronik komponent, lineer voltaj regülatörleri, amplifikatörler ve anahtarlama uygulamaları için uygun maliyetli bir seçenektir.

Termal özellikleri ve TO-126 plastik kılıfı sayesinde kolay monte edilebilen BD138, hobi projelerinden endüstriyel elektronik tasarımlara kadar çeşitli alanlarda tercih edilen güvenilir bir transistör seçeneğidir.

Teknik Özellikler

BD138 Transistör BJT PNP TO-126 ürününün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Transistör Tipi: BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Polarite: PNP
• Paket / Kılıf: TO-126 (SOT-32)
• Kolektör-Emitör Voltajı (V_CEO): 60V
• Kolektör-Baz Voltajı (V_CBO): 80V
• Emitör-Baz Voltajı (V_EBO): 5V
• Kolektör Akımı - Sürekli (I_C): 1.5A
• Kolektör Akımı - Pik (I_CM): 3A
• Toplam Güç Dağılımı (P_tot): 12.5W (25°C'de)
• DC Akım Kazancı (h_FE): 40-250 (I_C=150mA, V_CE=-2V)
• Kolektör-Emitör Doyum Voltajı (V_CE(sat)): -0.5V (I_C=-500mA, I_B=-50mA)
• Baz-Emitör Voltajı (V_BE): -1.0V (I_C=-150mA, V_CE=-2V)
• Çalışma Sıcaklığı (T_j): -55°C ile 150°C arası
• Depolama Sıcaklığı (T_stg): -55°C ile 150°C arası
• Termal Direnç, Junction-Case (R_{th j-c}): 10°C/W
• Termal Direnç, Junction-Ambient (R_{th j-a}): 100°C/W
• Maksimum Baz Akımı (I_B): 200mA
• Çıkış Kapasitansı (C_ob): 35pF (tipik)
• Geçiş Frekansı (f_T): 50MHz (tipik)
• Yükselme Zamanı (t_r): 0.3μs (tipik)
• Pin Konfigürasyonu: 1-Baz, 2-Kolektör, 3-Emitör
• Boyutlar (Yaklaşık): 8.7mm x 5.6mm x 2.6mm
• Montaj Tipi: Through Hole
• RoHS Uyumluluğu: Evet
• Ağırlık (Yaklaşık): 0.5g

Kullanım Alanları

BD138 Transistör BJT PNP TO-126'nın kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Güç Kontrol Uygulamaları

• Lineer güç regülatörleri
• LED sürücü devreleri
• Solenoid ve röle sürücüleri
• DC motor hız kontrol devreleri
• Elektromanyetik komponent sürücüleri

Amplifikatör Devreleri

• Ses amplifikatör çıkış katları
• Push-pull amplifikatör uygulamaları
• Sinyal tamponlama devreleri
• Pre-amplifikatör devreleri
• Sınıf A ve Sınıf B amplifikatörler

Anahtarlama Uygulamaları

• Darlington çiftleri ile yüksek kazançlı anahtarlama
• Güç kaynağı anahtarlama devreleri
• PWM kontrollü güç devreleri
• Akım sınırlama koruma devreleri
• Aşırı yük koruma devreleri

Avantajlar ve Özellikler

BD138 Transistör BJT PNP TO-126'nın sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Orta Güç Kapasitesi: 12.5W güç dağılımı ile geniş uygulama yelpazesi
• Yüksek Voltaj Dayanımı: 60V VCEO ile çeşitli güç devrelerinde güvenli kullanım
• Yüksek Akım Kapasitesi: 1.5A sürekli kolektör akımı ile güçlü yük sürüşü
• Geniş hFE Aralığı: 40-250 akım kazancı ile hassas tasarım esnekliği
• TO-126 Paketi: Etkin ısı dağılımı ve kolay montaj özellikleri
• Düşük Doyum Voltajı: Düşük güç kaybı ve verimli çalışma
• Yüksek Frekanslı Çalışma: 50MHz geçiş frekansı ile hızlı tepki
• Geniş Sıcaklık Aralığı: -55°C ile 150°C arası güvenli çalışma
• Kolay Bulunabilirlik: Yaygın kullanılan, uygun maliyetli komponent
• Tamamlayıcı Eşleşme: BD137 (NPN) ile tamamlayıcı çift oluşturabilme

Uygulama ve Devre Tasarımı

BD138 Transistör BJT PNP TO-126 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel PNP Transistör Anahtarlama Devresi:

• Baz Direnci: 1kΩ-10kΩ (giriş akımını sınırlamak için)
• Pull-Up Direnci: Kolektör üzerinde yük direnci (LED, röle, vb.)
• Akım Hesabı: I_C ≈ h_FE × I_B formülü ile akım hesabı
• Koruma Diyodu: İndüktif yükler için geri akım koruma diyodu
• Filtreleme: 100nF kapasitör ile sinyal gürültüsünü azaltma

LED Sürücü Devresi:

• Akım Sınırlama: Emisör direnci ile LED akımı kontrolü
• Baz Akımı: I_B = I_C / h_FE ile gerekli baz akımı hesabı
• Maksimum LED Sayısı: V_CEO / V_LED formülü ile hesaplama
• Dimmer Etkisi: PWM sinyali ile parlaklık kontrolü
• Sıcaklık Dengeleme: Termal kaçmayı önlemek için emisör direnci

Push-Pull Amplifikatör Tasarımı:

• Komplementer Çift: BD137 (NPN) ve BD138 (PNP) transistörler
• Çapraz Geçiş Distorsiyonu: 0.7V eşik voltajını aşmak için bias devreleri
• Termal Stabilite: Diyot ile sıcaklık kompanzasyonu
• Negatif Geri Besleme: Kazanç stabilizasyonu için geri besleme ağı
• Çalışma Noktası: Sınıf AB modunda çalışma için bias ayarı

Sorun Giderme ve İpuçları

BD138 Transistör BJT PNP TO-126 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Aşırı Isınma: Uygun soğutucu kullanın, kolektör akımını kontrol edin.
• Kararsız Çalışma: Baz akımını stabilize edin, geri besleme ekleyin.
• Düşük Kazanç: hFE değerini ölçün, baz akımını artırın, yük direncini kontrol edin.
• Ters Polarite Hasarı: Baz-emitör diyot koruması ekleyin, polariteyi kontrol edin.
• Titreşim ve Gürültü: Bypass kapasitörleri ekleyin, empedans eşleştirme yapın.

Tasarım ve Uygulama İpuçları

• TO-126 paketi için soğutucu kullanırken termal macun uygulamayı unutmayın
• Kolektör-emitör voltaj düşümünün 0.3V-0.5V arasında olduğunu hesaba katın
• DC çalışma noktası kaymasını önlemek için sıcaklık kompanzasyonu ekleyin
• Darlington konfigürasyonu ile kazancı artırabilirsiniz (hFE>1000)
• İndüktif yüklerde kolektöre koruma diyodu bağlayın
• Push-pull devrelerinde çapraz geçiş distorsiyonunu azaltmak için ön-bias uygulayın

Paket İçeriği

• BD138 Transistör BJT PNP TO-126

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular