BC807-16LT1G SOT23 SMD Transistör

BC807-16LT1G, genel amaçlı PNP bipolar bileşke transistördür. SOT-23 SMD paketinde sunulan bu transistör, 45V maksimum kolektör-emitör voltajı ve 500mA sürekli kolektör akımı ile elektronik devrelerde verimli bir anahtarlama ve amplifikasyon çözümü sunar.

Orta seviye akım kazancı (hFE: 100-250) ve düşük doyum voltajı özellikleri ile çeşitli güç sürücü uygulamalarında ideal olan bu elektronik komponent, güvenilir bir performans sağlar.

SOT-23 paketinin kompakt boyutu ve 250mW güç dağılım kapasitesi sunan BC807-16LT1G, alan kısıtlı PCB tasarımları, taşınabilir elektronik cihazlar ve genel amaçlı anahtarlama uygulamaları için uygun bir transistör seçeneğidir.

Teknik Özellikler

BC807-16LT1G SOT23 SMD Transistör ürününün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Transistör Tipi: BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Polarite: PNP
• Paket / Kılıf: SOT-23 (TO-236)
• Kollektör-Emitör Voltajı (V_CEO): 45V
• Kollektör-Baz Voltajı (V_CBO): 50V
• Emitör-Baz Voltajı (V_EBO): 5V
• Kollektör Akımı - Sürekli (I_C): 500mA
• Kollektör Akımı - Pik (I_CM): 1A
• Toplam Güç Dağılımı (P_tot): 250mW (25°C'de)
• DC Akım Kazancı (h_FE): 100-250 (I_C=-100mA, V_CE=-1V)
• -16 Kodu: hFE değer grubunu (100-250) belirtir
• Kollektör-Emitör Doyum Voltajı (V_CE(sat)): -0.3V (I_C=-500mA, I_B=-50mA)
• Baz-Emitör Voltajı (V_BE): -0.7V (tipik, I_C=-100mA, V_CE=-1V)
• Çalışma Sıcaklığı (T_j): -55°C ile 150°C arası
• Depolama Sıcaklığı (T_stg): -65°C ile 150°C arası
• Termal Direnç, Junction-Ambient (R_{th j-a}): 500°C/W
• Termal Direnç, Junction-Case (R_{th j-c}): 150°C/W
• Maksimum Baz Akımı (I_B): 100mA
• Geçiş Frekansı (f_T): 100MHz (tipik)
• Çıkış Kapasitansı (C_ob): 8pF (tipik)
• Giriş Kapasitansı (C_ib): 12pF (tipik)
• Yükselme Zamanı (t_r): 100ns (tipik)
• Düşme Zamanı (t_f): 200ns (tipik)
• Pin Konfigürasyonu: 1-Baz, 2-Emitör, 3-Kollektör
• Üretici: ON Semiconductor (LT1G serisi)
• Boyutlar (Yaklaşık): 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm
• Montaj Tipi: Yüzey Montaj (SMD)
• RoHS Uyumluluğu: Evet
• Ağırlık (Yaklaşık): 0.008g

Kullanım Alanları

BC807-16LT1G SOT23 SMD Transistör'ün kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Güç Kontrolü ve Sürücü Uygulamaları

• LED sürücü devreleri
• Negatif voltaj düzenleyicileri
• Röle ve solenoid kontrol devreleri
• Batarya şarj kontrolörleri
• PWM ile güç kontrolü

Sinyal İşleme ve Amplifikasyon

• Sinyal tamponlama devreleri
• Pre-amplifikatör uygulamaları
• Seviye dönüştürücüler
• Push-pull amplifikatör çıkış katları
• Analog sinyal koşullandırma

Tüketici Elektroniği ve IoT

• Taşınabilir elektronik cihazlar
• Kablosuz sensör ağları
• Akıllı ev otomasyonu
• Düşük güçlü elektronik cihazlar
• Pil beslemeli uygulamalar

Avantajlar ve Özellikler

BC807-16LT1G SOT23 SMD Transistör'ün sağladığı avantajlar ve çözümler.

• PNP Polaritesi: Yüksek taraf anahtarlama uygulamaları için ideal
• Yüksek Akım Kapasitesi: 500mA sürekli, 1A pik kollektör akımı
• Makul Akım Kazancı: 100-250 hFE değeri ile etkili sürüş
• Düşük Doyum Voltajı: -0.3V VCE(sat) ile verimli anahtarlama
• Geniş Voltaj Çalışma Aralığı: 45V VCEO ile çeşitli uygulamalara uygunluk
• Kompakt SMD Tasarım: SOT-23 paketi ile alan tasarrufu
• Yüksek Frekanslı Çalışma: 100MHz geçiş frekansı ile hızlı tepki
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile 150°C arası güvenilir performans
• Üretici Güvencesi: ON Semiconductor LT1G serisi güvenilirliği
• NPN Eşleşme: BC817-16 ile tamamlayıcı çift oluşturabilme

Uygulama ve Devre Tasarımı

BC807-16LT1G SOT23 SMD Transistör ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel PNP Anahtarlama Devresi:

• Baz Direnci: R_B = (V_E - V_B - V_BE) / I_B
• Negatif Lojik: Düşük sinyal aktif, yüksek sinyal kapalı
• Yüksek Taraf Anahtarlama: Yükün negatif tarafı sabit, pozitif tarafı kontrol edilir
• Baz Akımı: I_B = I_C / h_FE (minimum 100 değerine göre hesaplanır)
• Pull-Up Direnci: Baz-emitör arasına 10kΩ (kararsız tetiklemeleri önlemek için)

Sabit Akım Kaynağı:

• Akım Belirleme: Emitör direnci ile ayarlanan sabit akım
• Referans Voltajı: Zener diyot veya gerilim bölücü ile oluşturulur
• Formül: I_OUT = (V_REF - V_BE) / R_E
• Sıcaklık Dengeleme: Termistör veya diyot ile sıcaklık kompanzasyonu
• Uygulama: LED sürücü, analog devreler için sabit akım beslemesi

Push-Pull Amplifikatör Devresi:

• Komplementer Çift: BC807-16 (PNP) ve BC817-16 (NPN) transistörler
• Bias Devresi: Çapraz geçiş distorsiyonunu engellemek için
• Simetrik Besleme: Pozitif ve negatif besleme voltajları
• Geri Besleme: Negatif geri besleme ile kararlı çalışma
• Sınıf AB Çalışma: Düşük distorsiyon ve verimli güç kullanımı

Sorun Giderme ve İpuçları

BC807-16LT1G SOT23 SMD Transistör kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Ters Polarite Bağlantısı: PNP polaritesini doğru uygulayın, emitör pozitif olmalıdır.
• Yetersiz Anahtarlama: Baz akımını artırın, baz direncini azaltın.
• Aşırı Isınma: Maksimum güç sınırını aşmayın, PCB'de yeterli bakır alan bırakın.
• Anahtarlama Yavaşlığı: Baz direncini azaltın, hızlı kapatma için baz-emitör klempi ekleyin.
• Lehimleme Zorlukları: İnce uçlu havya ve kaliteli flux kullanın.

SMD Tasarım ve Uygulama İpuçları

• SOT-23 paketi için doğru PCB footprint kullanın
• Yüksek akım uygulamalarında PCB iz genişliğini artırın (en az 20mil)
• PNP transistörde mantık seviyelerinin NPN'dekinin tersi olduğunu unutmayın
• Negatif voltaj kaynaklarında çalışırken referans noktalarına dikkat edin
• Gürültü azaltma için bypass kapasitörleri ekleyin
• Yüksek frekanslı uygulamalarda kısa bağlantı yolları tasarlayın

Paket İçeriği

• BC807-16LT1G SOT23 SMD Transistör

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular