BC560 Transistör Bjt Pnp To-226AA

BC560 Transistör BJT PNP TO-226AA

BC560, yüksek voltaj kapasiteli PNP bipolar bileşke transistördür. TO-226AA (TO-92) paketinde sunulan bu transistör, 50V maksimum kolektör-emitör voltajı ve 100mA sürekli kolektör akımı ile düşük güçlü elektronik devreler için güvenilir bir çözüm sunar.

Düşük gürültü karakteristiği ve yüksek akım kazancı (hFE: 110-800) özellikleriyle hassas sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bu elektronik komponent, ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon için ideal seçenektir.

TO-226AA paketinin breadboard uyumlu yapısı ve 500mW güç dağılım kapasitesi sunan BC560, elektronik devreler, hobi projeleri ve öğrenme amaçlı uygulamalar için ekonomik ve kullanımı kolay bir transistör çözümüdür.

Teknik Özellikler

BC560 Transistör BJT PNP TO-226AA ürününün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Transistör Tipi: BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Polarite: PNP
• Paket / Kılıf: TO-226AA (TO-92)
• Serisi: BC560
• Kollektör-Emitör Voltajı (V_CEO): 50V
• Kollektör-Baz Voltajı (V_CBO): 60V
• Emitör-Baz Voltajı (V_EBO): 5V
• Kollektör Akımı - Sürekli (I_C): 100mA
• Kollektör Akımı - Pik (I_CM): 200mA
• Toplam Güç Dağılımı (P_tot): 500mW (25°C'de)
• DC Akım Kazancı (h_FE): 110-800 (I_C=-2mA, V_CE=-5V)
• Kollektör-Emitör Doyum Voltajı (V_CE(sat)): -0.25V (I_C=-10mA, I_B=-0.5mA)
• Baz-Emitör Voltajı (V_BE): -0.65V (tipik, I_C=-2mA, V_CE=-5V)
• Çalışma Sıcaklığı (T_j): -55°C ile 150°C arası
• Depolama Sıcaklığı (T_stg): -65°C ile 150°C arası
• Termal Direnç, Junction-Ambient (R_{th j-a}): 250°C/W
• Termal Direnç, Junction-Case (R_{th j-c}): 100°C/W
• Maksimum Baz Akımı (I_B): 50mA
• Gürültü Figürü (NF): 1.5dB (tipik, f=1kHz)
• Geçiş Frekansı (f_T): 100MHz (tipik)
• Çıkış Kapasitansı (C_ob): 3pF (tipik)
• Giriş Kapasitansı (C_ib): 10pF (tipik)
• Pin Konfigürasyonu: 1-Emitör, 2-Kollektör, 3-Baz (önden görünüm)
• Boyutlar (Yaklaşık): 4.6mm x 4.2mm x 3.2mm
• Montaj Tipi: Through Hole (Delikli)
• RoHS Uyumluluğu: Evet
• Ağırlık (Yaklaşık): 0.2g

Kullanım Alanları

BC560 Transistör BJT PNP TO-226AA'nın kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Ses ve Sinyal İşleme Uygulamaları

• Düşük gürültülü pre-amplifikatörler
• Audio amplifikatör devreleri
• Sinyal tamponlama uygulamaları
• Filtre devreleri
• Küçük sinyal işleme devreleri

Anahtarlama ve Kontrol Uygulamaları

• LED sürücü devreleri
• Küçük röle kontrolü
• Seviye dönüştürücüler
• Darlington konfigürasyonları
• Sensör arayüz devreleri

Hobi ve Eğitim Projeleri

• Breadboard uyumlu deney devreleri
• Arduino sinyal arayüzleri
• Elektronik eğitim setleri
• Basit güç kontrolü uygulamaları
• Düşük güçlü elektronik projeler

Avantajlar ve Özellikler

BC560 Transistör BJT PNP TO-226AA'nın sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Düşük Gürültü: 1.5dB gürültü figürü ile hassas sinyal amplifikasyonu
• Yüksek Akım Kazancı: 110-800 hFE değeri ile verimli amplifikasyon
• Orta Voltaj Dayanımı: 50V VCEO ile çeşitli uygulamalara uygunluk
• Düşük Doyum Voltajı: -0.25V VCE(sat) ile verimli anahtarlama
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile 150°C arası güvenilir çalışma
• Breadboard Uyumlu: TO-226AA paketi ile kolay prototipleme
• Düşük Kapasitans: 3pF çıkış kapasitansı ile iyi yüksek frekans performansı
• Yüksek Frekanslı Çalışma: 100MHz geçiş frekansı ile hızlı tepki
• NPN Eşleşme: BC550 ile tamamlayıcı çift oluşturabilme
• Ekonomik Çözüm: Uygun maliyet ile kaliteli performans

Uygulama ve Devre Tasarımı

BC560 Transistör BJT PNP TO-226AA ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Düşük Gürültülü Pre-Amplifikatör Devresi:

• Ortak Emitör Konfigürasyonu: Yüksek voltaj ve akım kazancı
• Çalışma Noktası: IC = 1-2mA (optimum düşük gürültü)
• Geri Besleme: Emisör direnci ile kararlı çalışma
• Bias Tasarımı: Gerilim bölücü ile sabit çalışma noktası
• Giriş Empedansı: 10-50kΩ arası yüksek giriş empedansı

PNP Transistör Anahtarlama Devresi:

• Baz Direnci: R_B = (V_E - V_IN - V_BE) / I_B
• Negatif Lojik: Düşük sinyal aktif, yüksek sinyal kapalı
• Yüksek Taraf Anahtarlama: Yükün pozitif ucunu kontrol etme
• Baz Akımı: I_B = I_C / 110 (minimum hFE değerine göre hesaplama)
• Pull-Up Direnci: Baz-emitör arasına 10kΩ (istenmeyen tetiklemeleri önlemek için)

Darlington Konfigürasyonu:

• Kazanç Artışı: h_FE(toplam) = h_FE1 × h_FE2 ile çok yüksek kazanç
• Eşik Gerilimi: Yaklaşık 1.3V (iki baz-emitör gerilimi toplamı)
• Uygulama: Mikrodenetleyici çıkışından yüksek akımlı yük kontrolü
• Anahtarlama Hızı: Standart transistöre göre daha yavaş
• Bias Akımı: Çok düşük baz akımı ile yüksek kolektör akımı kontrolü

Sorun Giderme ve İpuçları

BC560 Transistör BJT PNP TO-226AA kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Yüksek Gürültü: Optimum çalışma noktasını (1-2mA) kullanın, iyi filtreleme yapın.
• Kararsız Çalışma: Sıcaklık dengelemesi için emisör direnci ekleyin.
• Yetersiz Kazanç: Kolektör yük direncini artırın, doğru bias ayarlayın.
• Distorsiyon: Lineer bölgede çalıştığından emin olun, geri besleme kullanın.
• Yanlış Polarite: PNP transistör bağlantılarını doğrulayın, emitör pozitif tarafta olmalıdır.

Tasarım ve Uygulama İpuçları

• TO-226AA pin konfigürasyonunu doğru kontrol edin (1-Emitör, 2-Kollektör, 3-Baz)
• Düşük gürültülü devre tasarımlarında güç kaynağını iyi filtrelemeyi unutmayın
• Akım ölçümlerinde PNP transistörde akım emitörden kolektöre akar
• Düşük gürültülü ön amplifikatörlerde metal film dirençler kullanın
• Yüksek kazanç devrelerde geri besleme ile kararlılık sağlayın
• Düşük-seviye sinyal devrelerinde topraklama ve ekranlama tekniklerine dikkat edin

Paket İçeriği

• BC560 Transistör BJT PNP TO-226AA

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular