2SC5876T106Q SOT323 SMD Transistör

2SC5876T106Q, ultra kompakt SOT323 paketinde sunulan yüksek frekans NPN silikon transistörüdür. Rohm Semiconductor tarafından üretilen bu transistör, 50V maksimum kolektör-emitör voltajı ve 150mA sürekli kolektör akımı ile RF ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır.

4GHz'e varan geçiş frekansı (fT) değeri ile mikrodalga uygulamaları, RF amplifikatörler ve yüksek hızlı anahtarlama devreleri için ideal olan bu elektronik komponent, düşük gürültü karakteristiği sayesinde hassas sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.

Ultra küçük SOT323 (SC-70) paketi, kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluklu PCB'ler için alan tasarrufu sağlarken, yüksek frekanslı hassas sinyal işleme gerektiren modern elektronik cihazlar için güvenilir bir transistör çözümü sunar.

Teknik Özellikler

2SC5876T106Q SOT323 SMD Transistör'ün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Transistör Tipi: BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Polarite: NPN
• Paket / Kılıf: SOT323 (SC-70)
• Üretici: Rohm Semiconductor
• Kollektör-Emitör Voltajı (V_CEO): 50V
• Kollektör-Baz Voltajı (V_CBO): 60V
• Emitör-Baz Voltajı (V_EBO): 6V
• Kollektör Akımı - Sürekli (I_C): 150mA
• Kollektör Akımı - Pik (I_CM): 300mA
• Toplam Güç Dağılımı (P_tot): 200mW (25°C'de)
• DC Akım Kazancı (h_FE): 60-300 (I_C=10mA, V_CE=10V)
• Kollektör-Emitör Doyum Voltajı (V_CE(sat)): 0.25V (I_C=50mA, I_B=5mA)
• Baz-Emitör Voltajı (V_BE): 0.65V-0.75V (I_C=10mA, V_CE=10V)
• Çalışma Sıcaklığı (T_j): -55°C ile 150°C arası
• Depolama Sıcaklığı (T_stg): -55°C ile 150°C arası
• Geçiş Frekansı (f_T): 4GHz (tipik)
• Çıkış Kapasitansı (C_ob): 1.1pF (V_CB=10V, f=1MHz)
• Giriş Kapasitansı (C_ib): 2.5pF (V_EB=0.5V, f=1MHz)
• Gürültü Figürü (NF): 2.0dB (tipik, f=1GHz)
• Yükselme Zamanı (t_r): 0.5ns (tipik)
• Düşme Zamanı (t_f): 0.5ns (tipik)
• Pin Konfigürasyonu: 1-Baz, 2-Emitör, 3-Kollektör
• Paket Boyutları (Yaklaşık): 2.0mm x 1.3mm x 0.9mm
• Montaj Tipi: Yüzey Montaj (SMD)
• RoHS Uyumluluğu: Evet
• Paket Malzemesi: Epoksi reçine, kurşunsuz
• Ağırlık (Yaklaşık): 0.006g

Kullanım Alanları

2SC5876T106Q SOT323 SMD Transistör'ün kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

RF ve Mikro Dalga Uygulamaları

• RF amplifikatör devreleri
• Düşük gürültülü ön yükselteçler (LNA)
• Kablosuz haberleşme modülleri
• Radyo frekans osilatörleri
• Radar sistemleri

Yüksek Hızlı Dijital Sistemler

• Hızlı anahtarlama devreleri
• Sinyal tampon katları
• Seviye dönüştürücüler
• Yüksek hızlı lojik arayüzler
• Pals şekillendirme devreleri

Kompakt Elektronik Cihazlar

• Mobil cihaz RF katları
• IoT sensör arayüzleri
• Minyatür sinyal işleme devreleri
• Yüksek yoğunluklu PCB tasarımları
• Taşınabilir iletişim ekipmanları

Avantajlar ve Özellikler

2SC5876T106Q SOT323 SMD Transistör'ün sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Ultra Yüksek Frekans: 4GHz geçiş frekansı ile RF uygulamalara mükemmel uyum
• Kompakt Boyut: SOT323 (SC-70) paketi ile minimum PCB alanı kullanımı
• Düşük Gürültü: Hassas sinyal uygulamaları için optimize edilmiş gürültü performansı
• Hızlı Anahtarlama: 0.5ns yükselme/düşme zamanları ile yüksek hızlı devreler
• Düşük Kapasitans: 1.1pF çıkış kapasitansı ile yüksek frekanslı operasyon
• Düşük Doyum Voltajı: 0.25V VCE(sat) ile verimli anahtarlama
• Geniş Sıcaklık Aralığı: -55°C ile 150°C arası güvenilir çalışma
• Tutarlı Performans: Sıkı üretim toleransları ile ünite-arası tutarlılık
• RoHS Uyumluluğu: Çevre dostu kurşunsuz üretim
• Çoklu Uygulama Esnekliği: RF, analog ve dijital devrelerde kullanım imkanı

Uygulama ve Devre Tasarımı

2SC5876T106Q SOT323 SMD Transistör ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

RF Ön Yükselteç Devresi:

• Topoloji: Ortak emitör konfigürasyonu ile optimum kazanç
• Impedans Eşleme: Giriş/çıkış için mikroşerit hatlar veya L-C eşleme ağları
• Bias Devresi: Sıcaklık dengelemeli sabit akım kaynağı
• Gürültü Optimizasyonu: Optimum kaynak empedansı ile minimum gürültü
• RF Yalıtım: Besleme hatlarında ferit boncuk ve bypass kapasitörleri

Yüksek Hızlı Anahtarlama Devresi:

• Hızlı Açma/Kapama: Schottky diyot ile anti-doyma klempi
• Baz Sürücü: Push-pull konfigürasyonu ile hızlı geçiş
• Optimum Baz Akımı: I_B = I_C / 10 (hızlı anahtarlama için)
• Parazitik Azaltma: Minimum bağlantı uzunluğu, düşük ESL kapasitörler
• Sinyal Bütünlüğü: Kontrollü empedans hatları, PCB üzerinde toprak düzlemi

Darlington Düşük Gürültülü Amplifikatör:

• Yüksek Giriş Empedansı: 10MΩ civarında giriş direnci
• Kazanç: 60-70dB arası gerilim kazancı
• Frekans Yanıtı: 100MHz'e kadar düz yanıt
• Gürültü Optimizasyonu: Uygun çalışma noktası ve kaynak direnci seçimi
• Isıl Stabilite: Negatif geri besleme ve emitör direnci ile dengeleme

Sorun Giderme ve İpuçları

2SC5876T106Q SOT323 SMD Transistör kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• RF Kararsızlık: Besleme hatlarını bypass kapasitörleri ile filtreleyin, nötralizasyon ekleyin.
• SMD Lehimleme Zorluğu: Hassas havya ucu, flux kullanımı, sıcaklık kontrolü sağlayın.
• Parazitiik Osilasyon: Bağlantıları kısa tutun, geri besleme yollarını kontrol edin.
• Yüksek Frekansta Kazanç Düşüşü: Empedans eşleme ağları kullanın, PCB tasarımını optimize edin.
• ESD Hasarı: Transistörü tutarken anti-statik önlemler alın, ESD korumalı ortamda çalışın.

Tasarım ve Uygulama İpuçları

• SOT323 paketinin pin dizilimini (1-Baz, 2-Emitör, 3-Kollektör) doğru kontrol edin
• Ultra küçük boyutu nedeniyle konveksiyon fırın lehimleme veya pasta kullanarak manuel lehim yapın
• RF tasarımlarda toprak düzlemi ve mikroşerit hat tekniklerini uygulayın
• Yüksek frekanslı uygulamalarda PCB üzerinde parazitik kapasitans ve indüktansları minimize edin
• 4GHz'e kadar performans için kaliteli RF PCB malzemesi (FR4 yerine Rogers gibi) tercih edin
• Hassas RF ölçümleri için uygun empedans (genellikle 50Ω) eşleme teknikleri kullanın

Paket İçeriği

• 2SC5876T106Q SOT323 SMD Transistör

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular