MJB44H11T4G 10A 80V NPN Transistör TO263 (D2PAK)

MJB44H11T4G 10A 80V NPN Transistör TO263 D2PAK

MJB44H11T4G, yüksek akım ve voltaj kapasiteli bir güç NPN transistörüdür. TO263 (D2PAK) paketinde sunulan bu güçlü transistör, 10A sürekli kolektör akımı ve 80V kolektör-emitör gerilimi ile endüstriyel güç kontrol uygulamaları için tasarlanmıştır.

Yüksek akım kazancı, düşük doyum voltajı ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahip olan bu elektronik komponent, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama güç devreleri gibi yüksek güç gerektiren uygulamalar için idealdir.

D2PAK formunda sunulan MJB44H11T4G, geniş kolektör tab'ı sayesinde üstün ısı yayılımı sağlar ve yüksek güç dağıtım kapasitesiyle, güvenilir ve dayanıklı bir transistör çözümü arayanlar için mükemmel bir seçenek sunar.

Teknik Özellikler

MJB44H11T4G 10A 80V NPN Transistör TO263 D2PAK'ın detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: ON Semiconductor
• Transistör Tipi: NPN Silikon Bipolar Güç Transistörü
• Paket / Kılıf: TO263 (D2PAK) SMD
• Kollektör-Emitör Voltajı (V_CEO): 80V
• Kollektör-Baz Voltajı (V_CBO): 100V
• Emitör-Baz Voltajı (V_EBO): 7V
• Sürekli Kollektör Akımı (I_C): 10A
• Pik Kollektör Akımı (I_CM): 15A (puls)
• Kollektör Disipasyonu (P_C): 75W (25°C'de, uygun ısı emici ile)
• DC Akım Kazancı (h_FE): 25-100 (I_C=5A, V_CE=4V)
• Kollektör-Emitör Doyum Voltajı (V_CE(sat)): 0.7V (tipik, I_C=5A)
• Baz-Emitör Voltajı (V_BE): 1.2V (tipik, I_C=5A)
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -65°C ile +150°C arası
• Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı (T_j): 150°C
• Termal Direnç (Junction to Case): 1.67°C/W
• Termal Direnç (Junction to Ambient): 40°C/W
• Açılma Zamanı (t_on): 0.5μs (tipik)
• Depolama Zamanı (t_s): 0.9μs (tipik)
• Düşme Zamanı (t_f): 0.3μs (tipik)
• Pin Yapılandırması: 1-Baz, 2-Kolektör (Tab bağlantılı), 3-Emitör
• Montaj Şekli: Yüzey Montaj (SMD/SMT)
• Paket Boyutları: 10.0mm x 15.0mm x 4.5mm (yaklaşık)
• Tab Bağlantısı: Kolektör ile bağlantılı (ısı dağıtımı için)
• Güç Dağılımı (PCB Üzerinde): 3W (standart PCB), 5W (geniş bakır alan ile)
• Ağırlık: 1.6g (yaklaşık)
• RoHS Uyumluluğu: Evet
• Safe Operating Area (SOA): Geniş güvenli çalışma alanı
• Alternatif Kod: 2N6488 / MJE13009'un SMD versiyonu
• Uygulama Sınıfı: Yüksek güç, genel amaçlı güç anahtarlama

Kullanım Alanları

MJB44H11T4G 10A 80V NPN Transistör TO263 D2PAK'ın kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Güç Elektroniği Uygulamaları

• Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
• DC-DC dönüştürücüler
• Flyback konvertörler
• Güç invertörleri
• Endüstriyel güç kontrol sistemleri

Motor Kontrol Sistemleri

• DC motor sürücüleri
• Fırçasız motor kontrol devreleri
• Yüksek akımlı solenoid sürücüleri
• Endüstriyel aktüatör kontrolleri
• Servo motor sürücü devreleri

Endüstriyel Otomasyon

• Yüksek güçlü röle sürücüleri
• Endüstriyel ısıtıcı kontrolleri
• Güç dağıtım sistemleri
• Yüksek akımlı sensör arayüzleri
• Otomasyon sistemleri için güç kontrol devreleri

Avantajlar ve Özellikler

MJB44H11T4G 10A 80V NPN Transistör TO263 D2PAK'ın sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Yüksek Akım Kapasitesi: 10A sürekli kolektör akımı ile güçlü yük kontrolü
• Yüksek Voltaj Dayanımı: 80V VCEO ile endüstriyel uygulamalar için uygun
• Düşük Doyum Voltajı: 0.7V VCE(sat) ile düşük güç kaybı
• Geniş D2PAK Paketi: Üstün ısı dağıtımı için büyük metal tab
• Yüksek Güç Dağıtımı: 75W güç kapasitesi (uygun soğutma ile)
• Hızlı Anahtarlama: Düşük ton/toff değerleri ile verimli PWM kontrolü
• Geniş SOA (Safe Operating Area): Çeşitli yük koşullarında güvenli çalışma
• Düşük Termal Direnç: 1.67°C/W ile etkili ısı transferi
• Yüksek Sıcaklık Dayanımı: 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığı
• Endüstriyel Kalite: Sağlam ve güvenilir ON Semiconductor üretimi

Uygulama ve Devre Tasarımı

MJB44H11T4G 10A 80V NPN Transistör TO263 D2PAK ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Güç Anahtarlama Devresi:

• Baz Direnci: 1kΩ - 4.7kΩ (sürücü kaynağına bağlı olarak)
• Baz Sürücü: Darlington, MOSFET veya sürücü IC ile yüksek akım
• Snubber Devresi: 100Ω direnç ve 10nF kapasitör serisi (kolektör-emitör arasına)
• Koruma Diyodu: Endüktif yükler için hızlı geri kazanımlı diyot
• Soğutma: Geniş PCB bakır alanı veya harici soğutucu

DC Motor Kontrolü:

• PWM Sinyali: 1-20kHz arası anahtarlama frekansı
• Baz Sürücü Devresi: BC337 veya 2N2222 transistör ile pre-amplifikasyon
• Serbest Çevirme Diyodu: 1N5822 Schottky diyot ile EMF koruması
• Filtre Kapasitörü: 100μF elektrolit kapasitör (besleme hattında)
• Termal Koşullar: 10A için mutlaka uygun soğutucu kullanın

SMPS Uygulaması:

• Anahtarlama Frekansı: 20-50kHz optimum çalışma
• Gate Sürücü IC: UC3842 veya benzer PWM kontrol IC
• Snubber Ağı: RCD snubber ile anahtarlama kayıplarını azaltma
• Akım Algılama: Emitör serisinde düşük değerli dirençle
• EMI Filtresi: Giriş ve çıkış hatlarında LC filtre kullanımı

Sorun Giderme ve İpuçları

MJB44H11T4G 10A 80V NPN Transistör TO263 D2PAK kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Aşırı Isınma: Soğutucuyu büyütün, termal macun kullanın ve akım yükünü azaltın.
• Yetersiz Sürüş: Baz akımını artırın veya baz sürücü devresi kullanın.
• Anahtarlama Gürültüsü: Snubber devresi ekleyin ve PCB düzenini optimize edin.
• İkincil Kırılma: Safe Operating Area içinde çalışın ve anahtarlama sırasında yükleri sınırlayın.
• Kararsız Çalışma: Besleme hattına bypass kapasitörleri ekleyin.

PCB Tasarım İpuçları

• Kolektör tab'ı için en az 500mm² bakır alan oluşturun
• Çok sayıda termal via kullanarak ısıyı arka katmana iletin
• Çift taraflı PCB'de arka tarafta da geniş bakır alan bırakın
• Yüksek akım taşıyan yollar için 4mm veya daha kalın izler kullanın
• Sıcaklığa duyarlı bileşenleri transistörden uzağa yerleştirin
• D2PAK tab lehimlemesi için yeterli ısı ve lehim pastası kullanın

Paket İçeriği

• MJB44H11T4G 10A 80V NPN Transistör TO263 D2PAK

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular