IRFD9210 P Kanal Mosfet HVMDIP

IRFD9210 P-Kanal MOSFET HVMDIP

IRFD9210, düşük-orta güç uygulamaları için tasarlanmış, kompakt bir P-kanal MOSFET'tir. -200V drain-source voltajı ve -0.6A sürekli akım kapasitesi ile küçük boyutlu yüksek voltaj anahtarlama, sinyal kontrolü ve yüksek taraf sürücü uygulamaları için ideal bir yarı iletken elemandır.

HVMDIP (yüksek voltaj mini DIP) paketinde sunulan bu elektronik komponent, kompakt boyutu ve DIP montaj uyumluluğu sayesinde sınırlı alan bulunan tasarımlarda kolaylık sağlar. P-kanal yapısı ile yüksek taraf (high-side) anahtarlamada doğrudan kontrol imkanı sunar.

Küçük akımlar için yüksek voltaj dayanımı sunan IRFD9210, LED sürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve sinyal işleme devreleri için uygundur. Potansiyometre ile birlikte kullanılarak manuel kontrollü düşük güç anahtarlama devreleri oluşturulabilir.

Teknik Özellikler

IRFD9210 P-Kanal MOSFET HVMDIP'in detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: International Rectifier / Infineon
• MOSFET Tipi: P-Kanal
• Paket / Kılıf: HVMDIP (High Voltage Mini DIP)
• Drain-Source Voltajı (V_DSS): -200V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): -0.6A @ 25°C
• Pulslu Drain Akımı (I_DM): -2.4A (kısa süreli)
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): -2.0V ~ -4.0V
• Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 5.0Ω @ V_GS = -10V
• Logic Level Gate: Hayır (standart gate voltajı)
• Gate Şarj (Q_g): 5.4 nC (tipik)
• Açma/Kapama Gecikme Süresi: t_d(on) = 15ns, t_d(off) = 40ns
• Yükselme/Düşme Süresi: t_r = 30ns, t_f = 20ns
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 80 pF
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 17 pF
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 4 pF
• Toplam Gate Şarj (Q_g): 5.4 nC
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 1.3W
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +150°C arası
• Termal Direnç (R_θJA): 95°C/W
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 27 mJ
• Body Diyot İleri Voltaj Düşümü (V_SD): -1.6V
• Body Diyot Reverse Recovery Süresi (t_rr): 100ns
• Pin Sayısı: 4-pin HVMDIP
• Boyutlar: 8.5mm × 6.5mm × 3.3mm (yaklaşık)
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRFD9210 P-Kanal MOSFET HVMDIP'in kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Yüksek Voltaj Düşük Akım Uygulamaları

• Yüksek voltaj yüksek taraf anahtarlama
• Küçük LED sürücü devreleri
• Yüksek voltajlı veri iletişim devreleri
• Küçük sensör arayüzleri
• Batarya ile çalışan düşük güç sistemleri

Kompakt Güç Yönetimi

• Küçük güç kaynağı devreleri
• Düşük güç anahtarlama devreleri
• Batarya koruma sistemleri
• Yüksek voltaj düşük akım koruma devreleri
• IOT cihazlar için güç kontrol devreleri

Sinyal İşleme

• Analog sinyal anahtarlama
• Yüksek voltaj seviye çevirici devreleri
• Fotodetektör arayüzleri
• Optokuplör çıkış devreleri
• Düşük güçlü kontrol uygulamaları

Avantajlar ve Özellikler

IRFD9210 P-Kanal MOSFET HVMDIP'in sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Yüksek Voltaj Dayanımı: -200V ile güvenli çalışma marjı
• Kompakt Boyut: HVMDIP paketi ile alan tasarrufu
• DIP Montaj Uyumluluğu: Breadboard ve PCB'lerde kolay kullanım
• P-Kanal Yapısı: Yüksek taraf anahtarlama için basit devre tasarımı
• Düşük Gate Kapasitansı: 80 pF ile hızlı anahtarlama imkanı
• Düşük Gate Şarjı: 5.4 nC ile kolay sürüş
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +150°C arası çalışabilme
• Hızlı Anahtarlama: Düşük rise/fall süreleri ile verimli çalışma
• Düşük Kaçak Akım: Batarya ile çalışan uygulamalar için uygun
• Uygun Maliyet: Düşük akımlı yüksek voltaj uygulamaları için ekonomik çözüm

Uygulama ve Devre Tasarımı

IRFD9210 P-Kanal MOSFET HVMDIP ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel Bağlantı Şemaları:

• Yüksek Taraf Anahtarlama: Source pini pozitif beslemeye, Drain pini yüke bağlanır
• Gate Kontrolü: Gate'i Source'dan daha negatif yapmak için NPN transistör veya sürücü kullanılır
• Pull-Up Direnci: Gate-Source arasına 10kΩ pull-up direnci (varsayılan olarak kapalı tutmak için)
• Gate Koruması: Gate-Source arasına 15V zener diyot (ters yönde) bağlanır
• Pinout: Pin 1: Drain, Pin 2: Gate, Pin 3: Source, Pin 4: Drain (iç bağlantılı)

LED Dimmer Devresi Örneği:

• Temel Komponentler: IRFD9210, NPN transistör (2N2222), potansiyometre, dirençler
• Bağlantı: MOSFET Source->VCC, Drain->LED+, LED->Direnç->GND
• Kontrol: Potansiyometre çıkışı NPN transistörün Base'ine, NPN Collector'ü MOSFET Gate'ine bağlanır
• Çalışma Prensibi: Potansiyometre ile NPN'in iletime geçme seviyesi ayarlanır, MOSFET'in iletimi kontrol edilir
• Notlar: 0.6A maksimum akım sınırını aşmamak için LED sayısını veya akımını sınırlayın

Sorun Giderme ve İpuçları

IRFD9210 P-Kanal MOSFET HVMDIP kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Düşük İletim: 5Ω RDS(on) göz önünde bulundurulmalı, küçük yükler için uygundur.
• Aşırı Isınma: Akım sınırı aşılmış, 0.6A'dan yüksek yükleri sürmeyin.
• MOSFET Açılmıyor: Gate voltajı yetersiz, -10V civarı negatif gate voltajı sağlayın.
• Gate Hasar Görmesi: Aşırı gate voltajı, koruyucu zener diyot ekleyin.
• Package Konfüzyonu: HVMDIP paketinin pin düzenini kontrol edin.

Tasarım ve Montaj İpuçları

• 0.3A üzeri uygulamalarda ısınma olabilir, yeterli PCB soğutma alanı bırakın
• Yüksek voltaj tasarımlarında PCB izolasyon mesafelerine dikkat edin
• Düşük güç uygulamalarında gate pull-up direncini 100kΩ'a kadar artırabilirsiniz
• 200V uygulamalarda en az 2x güvenlik marjı (400V) sağlayan çevre komponentler kullanın
• HVMDIP paketinin breadboard'a sığabileceğini, ancak standart DIP'ten daha küçük olduğunu unutmayın

Paket İçeriği

• IRFD9210 P-Kanal MOSFET HVMDIP

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular