IRF9530 P-Kanal MOSFET SMD TO-263
IRF9530, orta güç uygulamaları için tasarlanmış, SMD montaja uygun bir P-kanal güç MOSFET'idir. -100V drain-source voltajı ve -12A sürekli akım kapasitesi ile yüksek taraf anahtarlama, güç kontrolü ve alan tasarrufu gerektiren uygulamalar için ideal bir yarı iletken elemandır.
TO-263 (D2PAK) SMD paketinde sunulan bu elektronik komponent, yüzey montaj özelliği sayesinde modern PCB tasarımlarında kolaylık sağlar. P-kanal yapısı ile yüksek taraf anahtarlamada ekstra sürücü devresi gerektirmeden doğrudan kontrol imkanı sunar.
Makul 0.20 Ohm RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında verimli çalışan IRF9530, batarya koruması, güç yönetimi ve SMD montaj gerektiren kompakt tasarımlarda tercih edilir. Potansiyometre ile birlikte kullanılarak manuel kontrollü güç anahtarlama devreleri oluşturulabilir.
Teknik Özellikler
IRF9530 P-Kanal MOSFET SMD TO-263'ün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.
- Üretici: International Rectifier / Infineon
- MOSFET Tipi: P-Kanal
- Paket / Kılıf: TO-263 (D2PAK) SMD
- Drain-Source Voltajı (VDSS): -100V
- Sürekli Drain Akımı (ID): -12A @ 25°C
- Pulslu Drain Akımı (IDM): -48A (kısa süreli)
- Gate-Source Voltajı (VGS): ±20V
- Gate Eşik Voltajı (VGS(th)): -2.0V ~ -4.0V
- Açık Durum Direnci (RDS(on)): 0.20Ω @ VGS = -10V
- Logic Level Gate: Hayır (standart gate voltajı)
- Gate Şarj (Qg): 39 nC (tipik)
- Açma/Kapama Gecikme Süresi: td(on) = 30ns, td(off) = 60ns
- Yükselme/Düşme Süresi: tr = 100ns, tf = 65ns
- Giriş Kapasitansı (Ciss): 950 pF
- Çıkış Kapasitansı (Coss): 160 pF
- Geri Transfer Kapasitansı (Crss): 30 pF
- Toplam Gate Şarj (Qg): 39 nC
- Maksimum Güç Dağılımı (PD): 60W
- Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası
- Termal Direnç (RθJC): 1.9°C/W
- Termal Direnç (RθJA): 40°C/W (standart PCB'de)
- Avalanche Enerjisi (EAS): 200 mJ
- Body Diyot İleri Voltaj Düşümü (VSD): -1.5V
- Body Diyot Reverse Recovery Süresi (trr): 150ns
- RoHS Uyumluluğu: Evet
Kullanım Alanları
IRF9530 P-Kanal MOSFET SMD TO-263'ün kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.
SMD Tabanlı Güç Yönetimi
- Batarya koruma devreleri
- Taşınabilir cihaz güç yönetimi
- Yüksek taraf anahtarlama
- Elektronik sigortalar
- Otomatik güç kesme sistemleri
Modern Elektronik Tasarımlar
- Yüzey montaj PCB'ler
- Kompakt motor sürücüleri
- Akıllı ev cihazları
- LED sürücü devreleri
- IOT cihaz güç kontrolü
Endüstriyel Uygulamalar
- Düşük profilli güç kaynakları
- Endüstriyel kontrol sistemleri
- Yüzey montaj H-köprü devreleri
- Güç dağıtım modülleri
- Otomotiv elektroniği
Avantajlar ve Özellikler
IRF9530 P-Kanal MOSFET SMD TO-263'ün sağladığı avantajlar ve çözümler.
- SMD Paket: Yüzey montaj teknolojisi ile kompakt PCB tasarımı
- P-Kanal Yapısı: Yüksek taraf anahtarlama için basit devre tasarımı
- Yüksek Voltaj Dayanımı: -100V ile güvenli çalışma marjı
- Uygun Akım Kapasitesi: -12A sürekli, -48A puls akım taşıyabilme
- Düşük Profil: Kompakt boyut ile alan tasarrufu sağlama
- Kolay PCB Yerleşimi: Otomatik dizgi makineleriyle uyumluluk
- İyi Isı Dağılımı: Metal tab PCB'ye doğrudan lehimlenebilir
- Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası çalışabilme
- Maliyet Etkin Çözüm: Performans/fiyat oranı yüksek
- Endüstriyel Standart Paket: Kolay temin edilebilir ve alternatifi çok
Uygulama ve Devre Tasarımı
IRF9530 P-Kanal MOSFET SMD TO-263 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.
İpucu: PCB tasarımında geniş bakır alan ile ısı dağılımını iyileştirin.
Temel Bağlantı Şemaları:
- Yüksek Taraf Anahtarlama: Source pini güç kaynağına, Drain pini yüke bağlanır
- Gate Kontrolü: NPN transistör veya open-drain çıkışlı mikrodenetleyici ile sürülür
- Pull-Up Direnci: Gate-Source arasına 10kΩ direnç bağlanır (varsayılan olarak kapalı tutmak için)
- Gate Koruması: Gate-Source arasına ters yönde 15V zener diyot eklenir
- PCB Tasarımı: Drain bağlantısı (metal tab) için geniş bakır alan bırakılır
Akıllı Batarya Koruma Devresi Örneği:
- Temel Komponentler: IRF9530 SMD, voltaj referansı, karşılaştırıcı, NPN transistör
- PCB Yerleşimi: MOSFET'in metal tabı geniş bakır alanla PCB'ye bağlanır
- Çalışma Prensibi: Aşırı deşarj durumunda MOSFET kapanarak bataryayı korur
- Mikrodenetleyici Kontrolü: Opsiyonel olarak MCU ile akıllı batarya yönetimi yapılabilir
- Termik Tasarım: Yüksek akımlarda PCB üzerinde yeterli soğutma alanı sağlanmalıdır
Sorun Giderme ve İpuçları
IRF9530 P-Kanal MOSFET SMD TO-263 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.
Yaygın Sorunlar ve Çözümleri
- Lehimleme Zorlukları: Büyük metal tab için ön ısıtma ve yeterli lehim gücü kullanın.
- Aşırı Isınma: PCB'de yeterli bakır alan yok, termik tasarımı iyileştirin.
- MOSFET Açılmıyor: Gate sürüş voltajı yetersiz, -10V veya daha negatif voltaj uygulayın.
- Kararsız Anahtarlama: Gate sürüş devresi iyileştirilmeli, PCB yolları kısaltılmalı.
- MOSFET Hasarı: İndüktif yüklerde koruma diyodu eksik, flyback diyot ekleyin.
PCB Tasarım ve Montaj İpuçları
- Metal tab için PCB'de minimum 100mm² bakır alan sağlayın
- Yüksek akım taşıyan PCB yollarını en az 2mm genişliğinde tasarlayın
- Reflow lehimleme için uygun profil kullanın (özellikle ön ısıtma aşaması önemli)
- 7A üzeri uygulamalarda PCB'de ısı dağıtımını hesaplayın veya iyileştirin
- ESD koruması sağlayın, TO-263 paketi lehimlemeden önce statik yükten etkilenebilir
Paket İçeriği
İlgili Ürün Kategorilerimiz
Çeşitli elektronik komponentler ile projelerinizi ve devrelerinizi geliştirebilirsiniz.
Ürünleri İncele →
Farklı değer ve tipte potansiyometreler ile değişken direnç gerektiren projeleriniz için çözümler.
Ürünleri İncele →
Neden Voltaj.Net'ten Almalısınız?
Voltaj.Net, elektronik komponentler konusunda Türkiye'nin güvenilir tedarikçisidir.
- Kalite Güvencesi: Orijinal ve güvenilir elektronik komponentler
- Teknik Destek: Ürün seçimi ve kullanımı konusunda uzman desteği
- Hızlı Teslimat: Stoktan hızlı gönderim ve takip edilebilir kargo
- Tamamlayıcı Ürünler: Geniş ürün yelpazesi
- Uygun Fiyatlar: Kaliteden ödün vermeden rekabetçi fiyatlandırma
- Güvenilir Alışveriş: Kolay sipariş ve iade süreci, güvenli ödeme seçenekleri
Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular
TO-263 (D2PAK) paketi ile TO-220 paketi arasındaki fark nedir?
TO-263 SMD montaj için tasarlanmıştır, düşük profil sunar. TO-220 through-hole montaj içindir. TO-263 otomatik dizgi uyumludur ve daha modern PCB tasarımlarına uygundur.
SMD MOSFET'in termal yönetimi nasıl yapılır?
PCB'de MOSFET altında geniş bakır alan (100mm² veya üzeri), çok sayıda via ile alt katmanlara ısı transferi ve gerekirse PCB alt yüzeyinde soğutucu kullanılır.
IRF9530 SMD'nin güç kapasitesi nasıl artırılabilir?
Çok katmanlı PCB tasarımı, termal vialar, alt katmanlarda geniş bakır alanlar ve PCB altına soğutucu bağlanmasıyla güç kapasitesi artırılabilir.
IRF9530 SMD için ideal lehim profili nasıl olmalıdır?
Ön ısıtma 150-180°C'de 60-120 saniye, peak sıcaklık 235-245°C arasında 20-40 saniye, toplam süre 3-4 dakika olmalıdır.
P-kanal MOSFET'in metal tabı hangi pine bağlıdır?
Drain pinine bağlıdır. PCB tasarımında metal tab altındaki bakır alan Drain potansiyelinde olmalıdır. Gerekirse izolasyon için termal pad kullanılabilir.
SMD MOSFET ile through-hole versiyonu arasında performans farkı var mı?
Elektriksel özellikleri aynıdır. Temel fark termal performansta olabilir. İyi PCB tasarımıyla SMD versiyonu aynı veya daha iyi ısı dağıtımı sağlayabilir.
El lehimi ile SMD MOSFET nasıl monte edilir?
PCB'yi 100°C civarında ön ısıtma, flux uygulama, önce pinleri sonra metal tabı lehimleme. Metal tab için yüksek güçlü havya ve yeterli lehim gerekir.
12V sistem için PCB bakır kalınlığı ne olmalıdır?
12A akım için minimum 2oz (70µm) bakır kalınlığı önerilir. 5A altında 1oz (35µm) yeterlidir. Termal yönetim için bakır alanı genişletmek önemlidir.
