IRF530 N Kanal Power Mosfet 100V 14A To-220

IRF530 N-Kanal Power MOSFET 100V 14A TO-220

IRF530, orta-yüksek güç uygulamaları için tasarlanmış, güvenilir ve çok yönlü bir N-kanal güç MOSFET'idir. 100V drain-source voltajı ve 14A sürekli akım kapasitesi ile motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devreleri için ideal bir yarı iletken elemandır.

TO-220 paketinde sunulan bu elektronik komponent, kolay montaj ve etkili ısı dağıtımı sağlar. 0.16 Ohm RDS(on) değeri ile yüksek verimlilik ve düşük ısı üretimi sunar. Sağlam yapısı ve makul fiyatıyla hobiden endüstriyel uygulamalara kadar geniş bir kullanım alanı vardır.

Güç elektronik devrelerinde yaygın olarak kullanılan IRF530, DC motor sürücüleri, LED aydınlatma kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları için tercih edilir. Potansiyometre ile birlikte kullanılarak manuel kontrollü güç sistemleri oluşturulabilir.

Teknik Özellikler

IRF530 N-Kanal Power MOSFET 100V 14A TO-220'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: Infineon / International Rectifier
• MOSFET Tipi: N-Kanal
• Paket / Kılıf: TO-220
• Drain-Source Voltajı (V_DSS): 100V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): 14A @ 25°C
• Pulslu Drain Akımı (I_DM): 56A (kısa süreli)
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2.0V - 4.0V
• Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 0.16Ω @ V_GS = 10V
• Logic Level Gate: Hayır (standart gate voltajı)
• Gate Şarj (Q_g): 42 nC (tipik)
• Açma/Kapama Gecikme Süresi: t_d(on) = 19ns, t_d(off) = 51ns
• Yükselme/Düşme Süresi: t_r = 50ns, t_f = 43ns
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 1000 pF
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 240 pF
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 30 pF
• Toplam Gate Şarj (Q_g): 42 nC
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 75W
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası
• Termal Direnç (R_θJC): 1.67°C/W
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 130 mJ
• Body Diyot İleri Voltaj Düşümü (V_SD): 1.3V
• Body Diyot Reverse Recovery Süresi (t_rr): 170ns
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRF530 N-Kanal Power MOSFET 100V 14A TO-220'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Motor Kontrolü

• DC motor hız kontrol devreleri
• Adım motor sürücüleri
• PWM tabanlı motor kontrol sistemleri
• Robot projeleri
• Elektrikli araç kontrol devreleri

Güç Elektroniği

• Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
• DC-DC dönüştürücüler
• İnverter devreleri
• Solar şarj kontrol üniteleri
• Batarya yönetim sistemleri

Aydınlatma ve Isıtma Kontrolü

• Yüksek güçlü LED sürücüleri
• Dimmer devreleri
• Elektrikli ısıtıcı kontrol sistemleri
• RGB LED kontrol üniteleri
• Endüstriyel aydınlatma kontrolü

Avantajlar ve Özellikler

IRF530 N-Kanal Power MOSFET 100V 14A TO-220'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Düşük RDS(on): 0.16Ω ile yüksek verimlilik ve minimum ısınma
• Yüksek Akım Kapasitesi: 14A sürekli, 56A puls akım kapasitesi
• Yüksek Voltaj Dayanımı: 100V ile güvenli çalışma marjı
• TO-220 Paketi: Kolay montaj ve soğutucu bağlama imkanı
• Makul Anahtarlama Hızı: Orta frekans uygulamaları için uygun
• Entegre Body Diyot: İndüktif yüklerde koruma sağlar
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası çalışabilme
• Avalanche Dayanımı: 130 mJ ile güvenilir çalışma
• Sağlam Yapı: Endüstriyel ortamlarda güvenilir performans
• Maliyet Etkin Çözüm: Performans/fiyat oranı yüksek

Uygulama ve Devre Tasarımı

IRF530 N-Kanal Power MOSFET 100V 14A TO-220 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel Bağlantı Şemaları:

• Düşük Taraf Anahtarlama: Source pini toprağa, Drain pini yüke bağlanır
• Gate Sürüşü: Gate pinine 10-15V gate voltajı, 100Ω gate direnci üzerinden uygulanır
• Gate Koruması: Gate-Source arasına 10kΩ pull-down direnci ve 15V zener diyot
• İndüktif Yük Koruması: Drain-Source arasına 1N4007 veya UF4007 diyot bağlanır
• Soğutma: Metal tab PCB'ye veya harici soğutucuya monte edilir

PWM Motor Kontrol Devresi Örneği:

• Komponentler: IRF530, mikrodenetleyici, 10kΩ ve 100Ω dirençler, 1N4007 diyot, soğutucu
• Bağlantı: MOSFET Source->GND, Drain->Motor-, Motor+->Güç Kaynağı+
• Kontrol: Mikrodenetleyici PWM çıkışı -> 100Ω direnç -> MOSFET Gate
• Koruma: Gate-Source arasına 10kΩ pull-down direnci, motor uçları arasına flyback diyot
• Notlar: 10A üzeri yüklerde soğutucuya termal macun uygulanmalıdır

Sorun Giderme ve İpuçları

IRF530 N-Kanal Power MOSFET 100V 14A TO-220 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Aşırı Isınma: Yetersiz soğutma, daha büyük soğutucu ve termal macun kullanın.
• MOSFET Açılmıyor: Gate voltajı yetersiz, 10V ve üzeri gate voltajı sağlayın.
• MOSFET Arızası: İndüktif geri tepme koruması eksik, flyback diyot ekleyin.
• Mikrodenetleyici Uyumsuzluğu: 5V gate sürüşü yetersiz, MOSFET sürücü devresi ekleyin.
• Yüksek Frekansta Verim Düşüşü: Gate kapasitansı etkisi, gate sürücü IC veya transistör kullanın.

Tasarım ve Montaj İpuçları

• PCB tasarımında Source pininden geniş toprak bağlantısı yapın
• Yüksek akımlı uygulamalarda PCB yolunu en az 3mm genişliğinde tasarlayın
• 8A üzeri uygulamalarda termal direnci 2°C/W altında soğutucu kullanın
• Gate hattında parazitleri önlemek için gate direncini MOSFET'e yakın konumlandırın
• Anahtarlama frekansını 50kHz altında tutarak anahtarlama kayıplarını azaltın

Paket İçeriği

• IRF530 N-Kanal Power MOSFET 100V 14A TO-220

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular