IR2103PBF Mosfet Sürücü Entegresi Dip-8

IR2103PBF MOSFET Sürücü Entegresi DIP-8

IR2103PBF, yüksek ve düşük taraf MOSFET'leri sürmek için tasarlanmış half-bridge sürücü entegresidir. DIP-8 formunda sunulan bu entegre, 600V maksimum çalışma voltajına sahip olup, kullanıcı kontrollü anahtarlama ve bağımsız giriş pinleri ile hassas kontrollü güç dönüştürücü uygulamaları için idealdir.

Bootstrap teknolojisi kullanan bu elektronik komponent, IR2104'ten farklı olarak dahili ölü zaman kontrolü olmadan HIN ve LIN girişleri üzerinden bağımsız kontrol imkanı sunar. Breadboard uyumlu DIP-8 paketi, prototip geliştirme ve eğitim uygulamaları için mükemmel bir seçimdir.

210mA kaynak ve 420mA alıcı çıkış akımı kapasitesiyle güç MOSFET türlerini sürebilen IR2103PBF, hızlı anahtarlama özellikleri ve kullanıcı tanımlı kontrol imkanlarıyla yüksek verimli güç dönüştürücü devreleri tasarlama esnekliği sunar.

Teknik Özellikler

IR2103PBF MOSFET Sürücü Entegresi DIP-8'in detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: International Rectifier / Infineon
• Entegre Tipi: Half-Bridge MOSFET/IGBT Sürücü
• Paket / Kılıf: DIP-8 (PDIP-8)
• Maksimum Çalışma Voltajı: 600V
• Besleme Voltajı (V_CC): 10V - 20V
• Çıkış Akımı (Kaynak): 210mA (tipik)
• Çıkış Akımı (Alıcı): 420mA (tipik)
• Half-Bridge Kanal Sayısı: 1 adet (2 bağımsız MOSFET sürücü)
• Yükseltme Süresi (t_r): 80ns
• Düşme Süresi (t_f): 40ns
• Propagasyon Gecikme Süresi: 680ns (tipik)
• Dahili Ölü Zaman (Dead Time): Yok (kullanıcı kontrolü gerekli)
• Bootstrap Diyodu: Harici (entegre değil)
• UVLO Koruması (Undervoltage Lockout): Var
• UVLO Eşikleri: 9.2V (açma), 8.3V (kapama)
• Giriş Lojik Uyumluluğu: CMOS/TTL uyumlu
• Entegre Seviye Kaydırıcı: Var (bootstrap yöntemiyle)
• Girişler: HIN (üst taraf), LIN (alt taraf)
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -40°C ile +125°C arası
• ESD Koruması: 2kV insan vücudu modeli
• Montaj Şekli: Through-hole (delikli montaj)
• Paket Boyutları: 9.5mm × 6.4mm × 3.3mm (yaklaşık)
• Pin Sayısı: 8
• Bootstrap Kapasitör Değeri: 0.1μF önerilen (uygulama bağımlı)
• Güç Tüketimi: <1mA (tipik, quiescent durum)
• RoHS Uyumluluğu: Evet (PbF - Kurşunsuz)

Kullanım Alanları

IR2103PBF MOSFET Sürücü Entegresi DIP-8'in kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Hassas Kontrollü Güç Uygulamaları

• Class D amplifikatörler
• Rezonans güç dönüştürücüler
• Hassas PWM kontrollü güç kaynakları
• Akım kontrollü anahtarlama devreleri
• Yüksek frekanslı invertörler

Eğitim ve Laboratuvar Uygulamaları

• Güç elektroniği eğitim kitleri
• Breadboard devre projeleri
• Prototip geliştirme
• Laboratuvar deneyleri
• MOSFET davranış çalışmaları

Hobi ve Maker Projeleri

• DIY invertörler
• Arduino kontrollü güç devreleri
• Robot motor sürücüleri
• Özel anahtarlamalı güç kaynakları
• Yenilenebilir enerji projeleri

Avantajlar ve Özellikler

IR2103PBF MOSFET Sürücü Entegresi DIP-8'in sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Breadboard Uyumlu DIP Paketi: Kolay prototipleme ve test imkanı
• Bağımsız HIN/LIN Girişleri: Kullanıcı tanımlı kontrol stratejileri oluşturma esnekliği
• Yüksek Voltaj Kapasitesi: 600V maksimum gerilim ile endüstriyel uygulamalara uygunluk
• Kullanıcı Kontrollü Ölü Zaman: Farklı MOSFET'ler ve uygulamalar için özelleştirilebilir zamanlama
• UVLO Koruma: Düşük besleme voltajlarında güvenli çalışma
• Geniş Sıcaklık Aralığı: -40°C ile +125°C arası dayanıklılık
• Hızlı Anahtarlama: 80ns yükselme, 40ns düşme süreleriyle yüksek verimlilik
• Güçlü Çıkış Sürücüleri: 210mA kaynak, 420mA alıcı kapasitesi
• CMOS/TTL Uyumlu Girişler: Mikrodenetleyicilerle doğrudan bağlantı imkanı
• Kurşunsuz (PbF) Paket: RoHS uyumlu çevre dostu tasarım

Uygulama ve Devre Tasarımı

IR2103PBF MOSFET Sürücü Entegresi DIP-8 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel Bağlantı Şeması:

• Besleme: VCC pini 12-15V DC besleme, COM toprak bağlantısı, 1μF ve 0.1μF bypass kapasitörleri
• Bootstrap Devresi: VB-VS pinleri arasına 0.1μF seramik kapasitör ve hızlı diyot (UF4007)
• Giriş Sinyalleri: HIN pini üst MOSFET, LIN pini alt MOSFET kontrolü için
• Çıkışlar: HO ve LO çıkışları MOSFET gate'lerine 10-15Ω dirençlerle bağlanır
• Ölü Zaman Devresi: Harici lojik kapı veya mikrodenetleyici ile çapraz iletim önleme

Breadboard Üzerinde Test Devresi:

• IR2103PBF Yerleşimi: Breadboard ortasına pin 1 göstergesi (çentik) solda olacak şekilde
• Güç Kaynağı: VCC için 12V, COM için toprak bağlantısı
• Sinyal Üreteci: 555 timer veya mikrodenetleyici ile HIN/LIN kontrol sinyalleri
• Ölü Zaman Üreteci: 74HC14 Schmitt trigger inverterler ve RC devreleri kullanılarak
• MOSFET Test Düzeni: Düşük voltajlı test için küçük sinyal MOSFET'leri kullanılabilir

Sorun Giderme ve İpuçları

IR2103PBF MOSFET Sürücü Entegresi DIP-8 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Çapraz İletim (Shoot-through): HIN ve LIN asla aynı anda aktif olmamalı, aralarında min. 500ns gecikme bırakın.
• Üst MOSFET Çalışmıyor: Bootstrap kapasitörü veya diyot hatası, bileşenleri değiştirin.
• Sürücü Çıkışı Yok: UVLO koruması aktif, besleme voltajını kontrol edin (min. 10V).
• Kararsız Çalışma: Giriş sinyalleri gürültülü, 10K pull-down dirençleri ekleyin.
• Aşırı Isınma: Yüksek anahtarlama frekansı, frekansı düşürün veya entegre için soğutucu ekleyin.

DIP Paketi ve Breadboard Kullanım İpuçları

• Pin 1 işareti (çentik veya nokta) yönünü doğru konumlandırın
• Breadboard'da güç ve toprak hatları için kalın teller kullanın
• Bootstrap kapasitör ve diyodu entegre yakınına yerleştirin
• Giriş sinyallerini gürültüden korumak için kısa bağlantılar yapın
• Harici ölü zaman devresi için 74HC14 veya CD4049 entegresi kullanılabilir

Paket İçeriği

• IR2103PBF MOSFET Sürücü Entegresi DIP-8

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular