50N06 N Kanal Mosfet TO-220

50N06 N-Kanal MOSFET TO-220

50N06, düşük voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-kanal güç MOSFET'idir. TO-220 paketinde sunulan bu komponent, 60V maksimum drain-source voltajı ve 50A sürekli drain akımı ile güç elektroniği uygulamalarında yüksek performans sağlar.

Çok düşük RDS(on) direnci sayesinde iletim kayıplarını minimize eden 50N06, verimlilik gerektiren anahtarlama uygulamaları için idealdir. Elektronik komponentler arasında motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir.

Standart TO-220 paketi kolay montaj ve soğutma avantajları sağlarken, yüksek akım kapasitesi ve düşük voltaj uygulamaları için mükemmel bir seçenektir. MOSFET teknolojisinin düşük kapı şarjı ve hızlı anahtarlama avantajlarından faydalanarak projelerinizin verimliliğini artırabilirsiniz.

Teknik Özellikler

50N06 N-Kanal MOSFET TO-220 ürününün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• MOSFET Tipi: N-Kanal
• Maksimum Drain-Source Voltajı (V_DSS): 60V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): 50A @ 25°C
• Maksimum Drain Akımı (Anlık): 200A (Pulse)
• Drain-Source On Direnci (R_DS(on)): 18.5mΩ (max) @ V_GS = 10V
• Drain-Source On Direnci (R_DS(on)): 22,0mΩ (max) @ V_GS = 4.5V
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2.0V - 4.0V
• Gate Şarjı (Q_g): 42nC (typ)
• Açma Gecikmesi Süresi (t_d(on)): 12ns (typ)
• Yükselme Süresi (t_r): 35ns (typ)
• Kapama Gecikmesi Süresi (t_d(off)): 35ns (typ)
• Düşme Süresi (t_f): 25ns (typ)
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 1450pF (typ)
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 290pF (typ)
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 75pF (typ)
• Paket / Kılıf: TO-220
• Maksimum Çalışma Sıcaklığı (T_J): 175°C
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 110W @ 25°C
• Termal Direnç (R_thJC): 1.5°C/W

Kullanım Alanları

50N06 N-Kanal MOSFET TO-220'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve uygulama örnekleri.

Motor Sürücüler

• DC motor hız kontrol devreleri
• Fırçasız DC motor sürücüler
• H-köprü devreleri
• Servo motor kontrol üniteleri
• Adım motor sürücüleri

Güç Kaynakları

• DC-DC buck dönüştürücüler
• DC-DC boost dönüştürücüler
• Batarya şarj devreleri
• Düşük voltajlı anahtarlamalı güç kaynakları
• Akım sınırlayıcı devreler

Diğer Uygulamalar

• LED sürücü devreleri
• Röleli yük kontrolü
• Solenoid sürücüler
• Elektrikli araç kontrol sistemleri
• Güneş enerjisi sistemleri

Avantajlar ve Özellikler

50N06 N-Kanal MOSFET TO-220'nin sağladığı avantajlar ve öne çıkan özellikleri.

• Yüksek Akım Kapasitesi: 50A sürekli akım ile güçlü uygulamalar
• Çok Düşük RDS(on): 18.5mΩ ile minimum iletim kayıpları
• Hızlı Anahtarlama: Düşük gate kapasitansı ile verimli çalışma
• TO-220 Paket: Kolay montaj ve etkin soğutma imkanı
• Düşük Gate Sürme Voltajı: 4.5V gate voltajı ile etkin çalışma
• Yüksek Güç Yoğunluğu: 110W güç dağıtım kapasitesi
• Düşük Termal Direnç: 1.5°C/W ile etkin ısı transferi
• Avalanche Dayanıklılığı: Tekrarlı avalanche koşullarına dayanıklı
• Çoklu Koruma Özellikleri: Kısa devre ve aşırı sıcaklığa karşı dayanıklı
• Ekonomik Fiyat: Yüksek performans/fiyat oranı

Devre Tasarımı ve Kullanım

50N06 N-Kanal MOSFET TO-220'nin devre tasarımında kullanımı hakkında bilgiler.

Temel Bağlantı Yapılandırması:

• Drain (Pin 2): Yüke bağlanır, TO-220 tab'ı da drain ile bağlantılıdır
• Gate (Pin 1): Kontrol sinyali girişi
• Source (Pin 3): Devrenin referans noktası veya toprak bağlantısı
• Tab/Case: Drain ile bağlantılıdır, soğutucuya montajda izolasyon gerekebilir

Gate Sürücü Devresi:

• Gate'e 10-22Ω direnç bağlayarak sürün
• Gate-Source arası 15-20V zener diyot ile aşırı voltaj koruması sağlayın
• Yüksek frekanslı uygulamalarda düşük indüktanslı gate bağlantısı yapın
• PWM kontrol için mikrodenetleyici veya özel sürücü IC'ler kullanın
• Hızlı kapatma için gate-source arası küçük bir schottky diyot ekleyin

Soğutma ve Termal Yönetim:

• 20A üzeri uygulamalarda soğutucu kullanın
• Termal macunu ince ve eşit şekilde uygulayın
• Soğutucu ile MOSFET arasında izolasyon gerektiğinde mika veya silikon pad kullanın
• Darbe modunda çalışırken termal empedansı dikkate alın
• Çok yüksek akımlarda paralel MOSFET kullanmayı düşünün

PCB Tasarım İpuçları:

• Gate hattını kısa tutun ve diğer sinyal hatlarından uzak yerleştirin
• Drain ve source bağlantıları için kalın bakır yollar kullanın
• Yıldız topraklama yapısı kullanarak gürültüyü azaltın
• PCB'de geniş bakır alanlar ile ısı dağılımını iyileştirin
• Yüksek akımlı yollarda çoklu via kullanın

Sorun Giderme ve İpuçları

50N06 N-Kanal MOSFET TO-220 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Aşırı Isınma: Yetersiz soğutma veya aşırı akım çekimi
• Kararsız Çalışma: Yetersiz gate sürücü veya parazitik salınımlar
• MOSFET Hasarı: İndüktif yük anahtarlamada koruma diyotu eksikliği
• Yavaş Anahtarlama: Yüksek gate direnci veya yetersiz sürücü devresi
• İstenmeyen Tetikleme: Gate hattında gürültü veya yetersiz pull-down direnci

Performans İyileştirme İpuçları

• Açma ve kapama için ayrı gate dirençleri kullanın
• Gate sürücü ile MOSFET arasındaki mesafeyi minimize edin
• İndüktif yükler için flyback diyot kullanın
• Anahtarlama sırasında dv/dt oranını sınırlandırın
• MOSFET'in çalışma noktasını güvenli çalışma alanı (SOA) içinde tutun

Paralel Kullanım İpuçları

• Aynı lot numarasına sahip MOSFET'leri seçin
• Her MOSFET'in source bacağına 0.1-0.5Ω direnç ekleyin
• Gate dirençlerini eşit değerlerde ve ayrı ayrı bağlayın
• Termal bağlantıyı dengeli yapın
• PCB düzeninde simetrik yerleşim uygulayın

Paket İçeriği

• 50N06 N-Kanal MOSFET TO-220

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular