BSS138LT1G Transistör N-Kanal MOSFET SOT-23
BSS138LT1G, düşük güç uygulamaları için tasarlanmış bir N-kanal MOSFET transistördür. Kompakt SOT-23 yüzey montaj paketindeki bu MOSFET, ON Semiconductor tarafından üretilmektedir.
50V drain-source gerilimi ve 200mA drain akımı sunan bu elektronik komponent, düşük eşik gerilimi ve düşük on-direnci sayesinde lojik seviye anahtarlama uygulamaları için ideal bir seçimdir.
Düşük kapasitans değerleri ve hızlı anahtarlama özellikleriyle bu N-kanal transistör, seviye dönüştürücü, LED sürücü ve küçük yük anahtarlama uygulamaları için güvenilir ve kompakt bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
BSS138LT1G Transistör N-Kanal MOSFET SOT-23'ün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.
- Transistör Tipi: N-Kanal MOSFET
- Paket Tipi: SOT-23
- Üretici: ON Semiconductor
- Drain-Source Gerilimi (VDSS): 50V
- Gate-Source Gerilimi (VGSS): ±20V
- Sürekli Drain Akımı (ID): 200mA
- Pals Drain Akımı (IDM): 500mA
- Gate Eşik Gerilimi (VGS(th)): 0.8V - 1.5V
- Drain-Source On-Direnci (RDS(on)): 1.6Ω (Tipik, VGS=4.5V)
- Giriş Kapasitansı (Ciss): 50pF (Tipik)
- Çıkış Kapasitansı (Coss): 11pF (Tipik)
- Geri Transfer Kapasitansı (Crss): 5pF (Tipik)
- Açılma Gecikmesi Süresi (td(on)): 4.5ns (Tipik)
- Kapanma Gecikmesi Süresi (td(off)): 12ns (Tipik)
- Güç Dağıtımı (PD): 350mW
- Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ +150°C
- Termal Direnç (RθJA): 357°C/W
- Montaj Tipi: Yüzey Montaj (SMD)
- Pin Konfigürasyonu: 1-Gate, 2-Source, 3-Drain.
Kullanım Alanları
BSS138LT1G Transistör N-Kanal MOSFET SOT-23'ün kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.
Lojik Seviye Uygulamaları
- Seviye dönüştürücüler (3.3V - 5V arası)
- I2C veri yolu tamponu
- Lojik sinyal anahtarlama
- Mikrodenetleyici I/O genişletme
LED Kontrol Devreleri
- Düşük güçlü LED sürücüleri
- LED akım sınırlama devreleri
- PWM LED parlaklık kontrolü
- Gösterge LED'leri kontrolü
Yük Anahtarlama
- Röle sürücü devreleri
- Küçük motor kontrolü
- Solenoid kontrolü
- Ses sinyali anahtarlama
Güç Yönetimi
- Batarya powered cihazlar
- DC-DC dönüştürücüler
- Güç kesme anahtarları
- Düşük akım anahtarlamalı regülatörler
Sensör Devreleri
- Sensör sinyal tamponlama
- Analog anahtarlama
- Sensör güç kontrolü
- Düşük gürültülü sinyal anahtarlama
Avantajlar ve Özellikler
BSS138LT1G Transistör N-Kanal MOSFET SOT-23'ün sağladığı avantajlar ve çözümler.
- Düşük Gate Eşik Gerilimi: 0.8V - 1.5V ile lojik seviye kontrolü
- Kompakt SOT-23 Paketi: Minimal PCB alanı kullanımı
- Düşük RDS(on): 1.6Ω ile verimli anahtarlama
- Hızlı Anahtarlama: Düşük kapasitans değerleri ile yüksek frekans uygulamaları
- Düşük Gate Sürücü Gereksinimi: 3.3V/5V lojik seviyeler ile doğrudan sürülebilme
- Düşük Kaçak Akım: 1µA altında drain-source kaçak akımı
- ESD Koruması: 2kV HBM ESD koruması
- Yüksek Güvenilirlik: Endüstriyel sıcaklık aralığında çalışma
Montaj ve Kullanım
BSS138LT1G Transistör N-Kanal MOSFET SOT-23'ün montaj ve kullanım süreci hakkında bilgiler.
İpucu: Gate'e pull-down direnç bağlayarak istenmeyen açılmaları önleyin.
Devre tasarımı için yapmanız gerekenler:
- SOT-23 paketi için uygun PCB pad boyutlarını kullanın (genellikle 0.95 x 0.55mm)
- Lojik seviye uygulamaları için 10kΩ gate pull-down direnci ekleyin
- Drain pininde yeterli güç dağıtımı için geniş bakır alan bırakın
- İndüktif yüklerle kullanırken drain-source arasına koruma diyotu ekleyin
- SMD lehimleme için reflow fırını, sıcak hava istasyonu veya ince uçlu havya kullanın
- ESD hasarını önlemek için uygun önlemler alın
MOSFET temel kullanım bilgileri:
- N-Kanal MOSFET'i aktif etmek için gate-source arasına pozitif gerilim uygulayın
- Tam açılma için minimum 2.5V gate gerilimi önerilir (ideal 4.5V veya üzeri)
- Yüksek hızlı anahtarlama için gate direncini optimize edin (tipik 100Ω - 1kΩ)
- MOSFET'ler giriş empedansı çok yüksek olduğundan statik elektrikten korunmalıdır
- Düşük olması istenen RDS(on) değeri, VGS gerilimi ile doğrudan ilişkilidir
- Seviye dönüştürücü uygulamalarda, source direnci ekleyerek gerilim bölücü oluşturun
Sorun Giderme ve İpuçları
BSS138LT1G Transistör N-Kanal MOSFET SOT-23 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.
Yaygın Sorunlar ve Çözümleri
- MOSFET Açılmıyor: Gate geriliminin eşik değerini aşıp aşmadığını kontrol edin
- Yüksek Isınma: RDS(on) değerini düşürmek için gate gerilimini artırın
- Yavaş Anahtarlama: Gate kapasitansını hızlı şarj/deşarj etmek için gate direncini azaltın
- İstenmeyen Açılma: Gate pull-down direnci ekleyin
Verimli Kullanım İpuçları
- I2C seviye dönüştürücüsü için source pinine 10kΩ pull-up direnci bağlayın
- Yüksek hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda kapasitif yükleri minimize edin
- PWM LED kontrolünde, yüksek frekans kullanarak daha iyi parlaklık kontrolü sağlayın
- Mikrodenetleyici port pini koruması için MOSFET'i seri direnç ile kullanın
Paket İçeriği
İlgili Ürün Kategorilerimiz
Çeşitli elektronik komponentler ile projelerinizi ve devrelerinizi geliştirebilirsiniz.
Ürünleri İncele →
Projeleriniz için çeşitli transistörler ile güç kontrolü ve sinyal işleme sağlayın.
Ürünleri İncele →
Neden Voltaj.Net'ten Almalısınız?
Voltaj.Net, elektronik komponentler ve MOSFET çeşitleri konusunda Türkiye'nin güvenilir tedarikçisidir.
- Kalite Güvencesi: Orijinal ve güvenilir ürünler
- Teknik Destek: Uzman ekip ile çözüm ve danışmanlık
- Hızlı Teslimat: Stoktan hızlı gönderim imkanı
- Geniş Ürün Yelpazesi: Projeleriniz için gerekli tüm komponentler
- Uygun Fiyatlar: Rekabetçi fiyatlarla kaliteli ürünler
- Güvenilir Alışveriş: Kolay sipariş ve güvenli ödeme seçenekleri
Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular
BSS138LT1G'nin en önemli özelliği nedir?
Düşük gate eşik gerilimi (0.8V-1.5V) ile 3.3V ve 5V lojik seviye sistemleri arasında doğrudan arayüz oluşturabilmesidir.
MOSFET ve BJT transistörler arasındaki temel fark nedir?
MOSFET'ler gerilim kontrollü olup çok düşük giriş akımı çekerken, BJT'ler akım kontrollüdür ve sürekli baz akımı gerektirirler.
Bu MOSFET hangi uygulamalar için idealdir?
Seviye dönüştürücüler, düşük güçlü LED sürücüleri, I2C veri yolu tamponları ve lojik kontrollü anahtarlama uygulamaları için idealdir.
50V VDSS değeri ne anlama gelir?
MOSFET'in drain-source arasında dayanabileceği maksimum gerilim değeridir. Güvenli çalışma için bu değerin en az 2 katı marj bırakılmalıdır.
BSS138LT1G seviye dönüştürücü olarak nasıl kullanılır?
Gate'i düşük voltajlı tarafa (3.3V), drain'i pull-up direnci ile yüksek voltajlı tarafa (5V), source'u düşük voltajlı tarafa bağlanır.
RDS(on) değeri neden önemlidir?
Açıkken MOSFET'in gösterdiği dirençtir. Düşük olması güç kaybını azaltır. Bu transistörde 1.6Ω gibi düşük bir değer sunmaktadır.
Gate pull-down direnci neden gereklidir?
Mikrodenetleyici resetlendiğinde veya güç kesintisinde yüzen gate pini parazitik kapasitanslar nedeniyle MOSFET'i aktif edebilir. Bu direnç bunu önler.
BSS138LT1G'nin benzer alternatifleri nelerdir?
2N7002, BSS123, IRLML2502 ve AO3400 benzer özelliklere sahip N-kanal MOSFET alternatifleridir.
