IRFR9120NPBF 5.6A 100V P-Kanal Mosfet To-252

IRFR9120NPBF 5.6A 100V P-Kanal MOSFET TO-252

IRFR9120NPBF, yüksek performanslı bir P-kanal güç MOSFET'idir. TO-252 (D-PAK) SMD paketinde sunulan bu komponent, 100V drain-source gerilimi ve 5.6A sürekli akım kapasitesi ile güç elektroniği uygulamaları için idealdir.

0.27 ohm gibi düşük açma direnci (RDS(on)) değeri sayesinde ısı kaybını minimize eden bu MOSFET, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında mükemmel performans sergiler. Elektronik komponentler arasında P-kanal yapısıyla özellikle yüksek taraf (high-side) anahtarlama devreleri için tercih edilir.

Güç kaynakları, motor kontrolü ve batarya koruması gibi uygulamalarda güvenilir performans sunan IRFR9120NPBF, geniş güvenli çalışma alanı (SOA) ile zorlu endüstriyel koşullarda dayanıklılık sağlar. Potansiyometre ile birlikte kullanılarak analog kontrol sağlayan güç devreleri tasarlayabilirsiniz.

Teknik Özellikler

IRFR9120NPBF 5.6A 100V P-Kanal MOSFET TO-252 ürününün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Transistör Tipi: P-Kanal MOSFET
• Paket / Kılıf: TO-252 (D-PAK) SMD
• Maksimum Drain-Source Voltajı (V_DSS): -100V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): -5.6A @ T_C = 25°C
• Drain-Source Açık Direnci (R_DS(on)): 0.27Ω @ V_GS = -10V
• Maksimum Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): -2,0V ile -4.0V arası
• Gate-Source Şarj (Q_g): 33nC (tipik)
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 1350pF (tipik)
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 265pF (tipik)
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 125pF (tipik)
• Açma Gecikmesi Süresi (t_d(on)): 24ns (tipik)
• Yükselme Süresi (t_r): 180ns (tipik)
• Kapama Gecikmesi Süresi (t_d(off)): 58ns (tipik)
• Düşme Süresi (t_f): 55ns (tipik)
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 79W @ T_C = 25°C
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası
• Termal Direnç, Jonksiyondan Kutuya (R_θJC): 1.6°C/W
• Termal Direnç, Jonksiyondan Ortama (R_θJA): 40°C/W (min. PCB alanıyla)
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 720mJ (tek atım)
• Body Diyot İleri Voltajı (V_SD): -1.3V (tipik)
• Body Diyot Ters Toparlanma Süresi (t_rr): 330ns (tipik)
• Body Diyot Ters Toparlanma Yükü (Q_rr): 7.1µC (tipik)
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRFR9120NPBF 5.6A 100V P-Kanal MOSFET TO-252'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve uygulama örnekleri.

Güç Yönetimi

• Yüksek taraf anahtarlama devreleri
• Batarya koruma sistemleri
• Yük anahtarlama uygulamaları
• Güç dağıtım sistemleri
• DC-DC dönüştürücüler

Motor Kontrol

• H-köprü sürücüleri
• Fırçalı DC motor kontrol devreleri
• Otomotiv elektrik sistemleri
• Endüstriyel motor sürücüler
• Yön kontrol devreleri

Koruma Devreleri

• Aşırı akım koruma
• Reverse polarity (ters polarite) koruması
• Sıcaklık koruma sistemleri
• Soft-start devreleri
• Akıllı güç anahtarları

Avantajlar ve Özellikler

IRFR9120NPBF 5.6A 100V P-Kanal MOSFET TO-252'nin sağladığı avantajlar ve öne çıkan özellikleri.

• P-Kanal Yapısı: Yüksek taraf (high-side) anahtarlama için ideal
• Düşük RDS(on): 0.27Ω ile minimum güç kaybı
• Yüksek Gerilim Dayanımı: -100V maksimum drain-source voltajı
• Yüksek Akım Kapasitesi: -5.6A sürekli akım desteği
• SMD Paket: TO-252 (D-PAK) ile alan tasarrufu
• Geniş SOA (Güvenli Çalışma Alanı): Zorlu koşullarda güvenilir çalışma
• Yüksek Avalanche Dayanımı: 720mJ tek atım avalanche enerjisi
• Düşük Gate Yükü: Hızlı anahtarlama performansı
• Entegre Body Diyot: Endüktif yükler için koruma
• Geniş Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığı

Devre Tasarımı ve Kullanım

IRFR9120NPBF 5.6A 100V P-Kanal MOSFET TO-252'nin devre tasarımında kullanımı hakkında bilgiler.

Pin Yapılandırması (TO-252):

• Pin 1: Gate (G)
• Pin 2: Drain (D) - Tab ile bağlantılı
• Pin 3: Source (S)
• Metal Tab: Drain (D) ile bağlantılı

Yüksek Taraf (High-Side) Anahtarlama:

• Source elektrodu pozitif beslemeye bağlanır
• Drain elektrodu yüke bağlanır
• Gate'i source'tan daha negatif yapmak için anahtarlama devresi gerekir
• Gate-source arasına pull-up direnci (10K-100K) ekleyin
• Level-shifter veya gate sürücü IC kullanarak kontrolü sağlayın

Batarya Koruma Devresi:

• P-kanal MOSFET'i batarya pozitif terminali ile yük arasına bağlayın
• Aşırı akım durumunda gate'i kontrol ederek akımı kesin
• Kısa devre koruması için akım sensörü devreleri ekleyin
• Soft-start için kapasitör ile gate voltajını yavaşça değiştirin
• Termal koruma için sıcaklık sensörü ekleyin

Ters Polarite Koruması:

• Source'u batarya pozitif terminaline bağlayın
• Drain'i sisteme bağlayın
• Gate'i sisteme veya source'a bir direnç üzerinden bağlayın
• Normal polaritede MOSFET açık kalır, ters polaritede kapanır
• Body diyot sayesinde ters akım engellenir

PCB Tasarım İpuçları:

• Drain bağlantısı için geniş bakır alanlar ile ısı dağılımını iyileştirin
• Source ve gate bağlantılarını kısa tutun
• Yüksek akım taşıyan yollar için kalın hatlar kullanın
• Termal vias'lar ile alt katmanlara ısı transferi sağlayın
• SMD montajında reflow lehimleme tekniklerini kullanın

Sorun Giderme ve İpuçları

IRFR9120NPBF 5.6A 100V P-Kanal MOSFET TO-252 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• MOSFET Açılmaması: Gate-source voltajının yeterince negatif olduğunu kontrol edin
• Aşırı Isınma: PCB'deki ısı dağılım alanını genişletin veya harici soğutucu ekleyin
• Yavaş Anahtarlama: Gate direncini azaltın ve uygun gate sürücüsü kullanın
• Gürültü Sorunları: Gate hattını kısa tutun ve gürültü bastırma kapasitörleri ekleyin
• ESD Hasarı: Taşıma ve montaj sırasında uygun ESD önlemleri alın

P-Kanal MOSFET Kullanım İpuçları

• P-kanal MOSFET'ler açılma için negatif gate voltajı gerektirir
• Tam iletim için gate voltajını en az -10V negatif yapın
• Gate sıçramalarını önlemek için gate-source arasına zener diyot ekleyin
• Yüksek taraf sürücü devresinde bootstrap kapasitörü kullanımını değerlendirin
• Level shifter IC'leri ile düşük voltajlı kontrolörleri uygun şekilde bağlayın

Performans İyileştirme Önerileri

• Sink akımı gerektiren uygulamalarda N-kanal alternatiflerini değerlendirin
• Yüksek akımlı uygulamalarda paralel MOSFET'ler kullanın
• EMI sorunlarını azaltmak için gate direnci ile açılma/kapanma sürelerini optimize edin
• TO-252 paketinin soğutma sınırlarını aşan uygulamalar için daha büyük paketleri düşünün
• Snubber devreleri ile anahtarlama geçişlerini iyileştirin

Paket İçeriği

• IRFR9120NPBF 5.6A 100V P-Kanal MOSFET TO-252

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular