IRFP460 N Kanal Power Mosfet To-247

IRFP460 N-Kanal Power MOSFET TO-247

IRFP460, yüksek voltaj ve yüksek güç gerektiren uygulamalar için tasarlanmış, dayanıklı bir N-kanal güç MOSFET'idir. 500V drain-source voltajı ve 20A sürekli akım kapasitesi ile endüstriyel güç kontrolü, invertör devreleri ve SMPS uygulamaları için ideal bir yarı iletken elemandır.

TO-247 paketinde sunulan bu elektronik komponent, yüksek ısı dağıtım kapasitesi ve güçlü yapısıyla zorlu endüstriyel ortamlarda güvenilir çalışma sunar. Düşük gate sürüş voltajı gerektiren uygulamalarda sürücü devresi ile kullanılması önerilir.

0.27 Ohm RDS(on) değeri ile yüksek güçlü uygulamalarda makul verimlilik sağlayan IRFP460, anahtarlamalı güç kaynakları, indüksiyon ısıtıcıları gibi yüksek güçlü devrelerde tercih edilir. Potansiyometre ile birlikte kullanılarak manuel kontrollü yüksek güç sistemleri tasarlanabilir.

Teknik Özellikler

IRFP460 N-Kanal Power MOSFET TO-247'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: Infineon / International Rectifier
• MOSFET Tipi: N-Kanal
• Paket / Kılıf: TO-247
• Drain-Source Voltajı (V_DSS): 500V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): 20A @ 25°C
• Pulslu Drain Akımı (I_DM): 80A (kısa süreli)
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±30V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2.0V - 4.0V
• Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 0.27Ω @ V_GS = 10V
• Logic Level Gate: Hayır (standart gate voltajı)
• Gate Şarj (Q_g): 90 nC (tipik)
• Açma/Kapama Gecikme Süresi: t_d(on) = 35ns, t_d(off) = 70ns
• Yükselme/Düşme Süresi: t_r = 120ns, t_f = 95ns
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 2100 pF
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 230 pF
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 37 pF
• Toplam Gate Şarj (Q_g): 90 nC
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 280W
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası
• Termal Direnç (R_θJC): 0.45°C/W
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 530 mJ
• Body Diyot İleri Voltaj Düşümü (V_SD): 1.5V
• Body Diyot Reverse Recovery Süresi (t_rr): 340ns
• Body Diyot Reverse Recovery Şarjı (Q_rr): 5.8 µC
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRFP460 N-Kanal Power MOSFET TO-247'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Güç Dönüştürücüler

• Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
• DC-DC yükseltici (boost) dönüştürücüler
• DC-DC düşürücü (buck) dönüştürücüler
• AC-DC dönüştürücüler
• Yüksek voltajlı güç kaynakları

Endüstriyel Sistemler

• Yüksek güçlü motor sürücüleri
• İndüksiyon ısıtma sistemleri
• UPS ve invertör devreleri
• Elektromanyetik fren sistemleri
• Endüstriyel ısıtıcı kontrolleri

Yüksek Voltaj Uygulamaları

• Tesla bobinleri
• Yüksek voltajlı deşarj sistemleri
• Elektrik ark uygulamaları
• Kapasitif deşarj devreleri
• Plazma sürücüleri

Avantajlar ve Özellikler

IRFP460 N-Kanal Power MOSFET TO-247'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Yüksek Voltaj Dayanımı: 500V drain-source voltajı ile güvenli çalışma
• Yüksek Akım Kapasitesi: 20A sürekli, 80A puls akım kapasitesi
• Geniş Güvenli Çalışma Alanı: Yüksek avalanche enerjisi ile güvenilir operasyon
• Üstün Isı Dağıtımı: TO-247 paketi ile etkin soğutma imkanı
• Yüksek Güç Kapasitesi: 280W maksimum güç dağıtımı
• Sağlam Yapı: Zorlu endüstriyel ortamlarda dayanıklı çalışma
• Düşük Termal Direnç: 0.45°C/W ile etkili ısı transferi
• Entegre Koruma Diyodu: İndüktif yüklerde güvenli anahtarlama
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası çalışabilme
• Yüksek Anahtarlama Performansı: Makul açma/kapama süreleri

Uygulama ve Devre Tasarımı

IRFP460 N-Kanal Power MOSFET TO-247 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel Bağlantı Şemaları:

• Düşük Taraf Anahtarlama: Source pini toprağa, Drain pini yüke bağlanır
• Gate Sürüşü: 10-15V gate sürüş voltajı önerilir, özel gate sürücü IC kullanılmalıdır
• Gate Koruması: Gate ve Source arasına 15V zener diyot ve 10kΩ pull-down direnci
• Snubber Devresi: Drain-Source arasına RC snubber devresi (yüksek voltaj uygulamalarında)
• Soğutma: Büyük alüminyum soğutucu ve termal macun ile etkin soğutma sağlanmalıdır

Örnek Yükseltici (Boost) Dönüştürücü Devresi:

• Komponentler: IRFP460, gate sürücü IC, indüktör, diyot, kapasitör, mikrodenetleyici
• Çalışma Prensibi: MOSFET açıkken indüktörde enerji depolanır, kapalıyken diyot üzerinden çıkışa aktarılır
• Gate Sürüşü: İzole gate sürücü (örn. FOD3180) ile yüksek voltaj tarafından koruma
• Koruma Devreleri: Aşırı akım koruması, aşırı sıcaklık koruması, aşırı voltaj koruması
• Kontrol: PWM sinyali ile çalışma döngüsü ayarlanarak çıkış voltajı düzenlenir

Sorun Giderme ve İpuçları

IRFP460 N-Kanal Power MOSFET TO-247 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Aşırı Isınma: Yetersiz soğutma, daha büyük soğutucu ve termal macun kullanın.
• Yüksek Anahtarlama Kayıpları: Gate sürücü yetersiz, uygun sürücü devresini kullanın.
• EMI Sorunları: Hızlı anahtarlama gürültüsü, uygun gate direnci ve snubber devreleri ekleyin.
• Gate Hasarı: Aşırı gate voltajı, 15V zener diyot ile koruma sağlayın.
• MOSFET Arızası: İndüktif geri tepme, uygun bastırma devreleri (snubber) kullanın.

Tasarım ve Montaj İpuçları

• Yüksek voltaj uygulamalarında izolasyon mesafelerine dikkat edin
• PCB tasarımında MOSFET çevresinde geniş bakır alanlar kullanın
• Gate sürücü devresini MOSFET'e mümkün olduğunca yakın yerleştirin
• Soğutucuyu elektriksel olarak izole ederek montaj yapın
• Endüktif yükler için bastırma (snubber) devreleri tasarlayın

Paket İçeriği

• IRFP460 N-Kanal Power MOSFET TO-247

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular