IRFP054 N Kanal Power Mosfet To-247

Görsel 1
VoltajPuan : 559
Fiyat:
1,78 USD + KDV
İndirimli Fiyat (%20,2) :
1,42 USD + KDV
Kazancınız 0,36 USD
KDV Dahil:
67,02 TL
7,15 TL'den başlayan taksit seçenekleri için tıklayın.
Aynı Gün Kargo

IRFP054 N-Kanal Power MOSFET TO-247

IRFP054, yüksek güçlü bir N-kanal MOSFET transistördür. TO-247 paketinde sunulan bu komponent, 60V maksimum drain-source gerilimi ve 81A sürekli akım kapasitesi ile yüksek akım gerektiren uygulamalarda mükemmel performans sağlar.

Çok düşük RDS(on) değeri ile (0.012 ohm tipik) güç kayıplarını minimize eden IRFP054, verimlilik gerektiren güç elektroniği uygulamaları için ideal bir seçimdir. Elektronik komponentler arasında yüksek akım taşıma kapasitesiyle öne çıkan bu MOSFET, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında üstün performans sergiler.

Motor sürücüleri, yüksek güçlü anahtarlamalı güç kaynakları ve batarya yönetim sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilen IRFP054, TO-247 paketi sayesinde mükemmel ısı dağıtım özellikleri sunar. Potansiyometre ile kombinasyonda kullanılarak, çeşitli güç kontrol devreleri tasarlanabilir.


Teknik Özellikler

IRFP054 N-Kanal Power MOSFET TO-247 ürününün detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

  • Transistör Tipi: N-Kanal MOSFET
  • Paket / Kılıf: TO-247
  • Maksimum Drain-Source Voltajı (VDSS): 60V
  • Sürekli Drain Akımı (ID): 81A @ TC = 25°C
  • Drain-Source Açık Direnci (RDS(on)): 0.012Ω @ VGS = 10V
  • Maksimum Gate-Source Voltajı (VGS): ±20V
  • Gate Eşik Voltajı (VGS(th)): 2,0V - 4.0V
  • Gate-Source Şarj (Qg): 170nC (tipik)
  • Giriş Kapasitansı (Ciss): 10500pF (tipik)
  • Çıkış Kapasitansı (Coss): 1600pF (tipik)
  • Geri Transfer Kapasitansı (Crss): 300pF (tipik)
  • Açma Gecikmesi Süresi (td(on)): 48ns (tipik)
  • Yükselme Süresi (tr): 210ns (tipik)
  • Kapama Gecikmesi Süresi (td(off)): 120ns (tipik)
  • Düşme Süresi (tf): 84ns (tipik)
  • Maksimum Güç Dağılımı (PD): 250W @ TC = 25°C
  • Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası
  • Termal Direnç, Jonksiyondan Kutuya (RθJC): 0.5°C/W
  • Termal Direnç, Jonksiyondan Ortama (RθJA): 40°C/W
  • Avalanche Enerjisi (EAS): 1340mJ (tek atım)
  • Body Diyot İleri Voltajı (VSD): 1.3V (tipik)
  • Body Diyot Ters Toparlanma Süresi (trr): 180ns (tipik)
  • RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRFP054 N-Kanal Power MOSFET TO-247'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve uygulama örnekleri.

Yüksek Akım Uygulamaları

  • DC motor sürücüleri
  • Yüksek akımlı güç kaynakları
  • Batarya koruma devreleri
  • Yük anahtarlama sistemleri
  • Solar panel optimizasyon sistemleri

Güç Dönüştürücü Devreleri

  • Buck (Düşürücü) dönüştürücüler
  • Boost (Yükseltici) dönüştürücüler
  • H-Köprü devreleri
  • Senkron doğrultucular
  • Yüksek frekanslı inverterler

Endüstriyel Uygulamalar

  • Kaynak makineleri
  • Uninterruptible güç kaynakları (UPS)
  • İndüksiyon ısıtma sistemleri
  • Servo motor kontrol devreleri
  • Ses amplifikatör devreleri

Avantajlar ve Özellikler

IRFP054 N-Kanal Power MOSFET TO-247'nin sağladığı avantajlar ve öne çıkan özellikleri.

  • Çok Düşük RDS(on): 0.012Ω ile minimum güç kaybı
  • Yüksek Akım Kapasitesi: 81A sürekli drain akımı
  • TO-247 Paketi: Üstün ısı dağıtım özellikleri
  • Yüksek Güç Yoğunluğu: 250W maksimum güç dağılımı
  • Düşük Gate Sürme Voltajı: 10V ile tam iletim
  • Avalanche Dayanıklılığı: 1340mJ tek atım avalanche enerjisi
  • Düşük Isı Direnci: 0.5°C/W jonksiyondan kutuya
  • Entegre Body Diyot: Endüktif yükler için koruma
  • Yüksek Gerilim Marjı: 60V drain-source voltajı kapasitesi
  • Geniş Güvenli Çalışma Alanı (SOA): Zorlu uygulamalarda güvenilirlik

Devre Tasarımı ve Kullanım

IRFP054 N-Kanal Power MOSFET TO-247'nin devre tasarımında kullanımı hakkında bilgiler.

İpucu: Yüksek akım uygulamalarında paralel MOSFET kullanımı için her gate'e seri direnç ekleyin.

Pin Yapılandırması (TO-247):

  • Pin 1: Gate (G)
  • Pin 2: Drain (D)
  • Pin 3: Source (S)

Temel Anahtarlama Devresi:

  • Source'u toprak (GND) hattına bağlayın
  • Drain'e yük bağlantısını yapın
  • Gate'e sürücü devresini bağlayın
  • Gate-Source arasına 10K-47K pull-down direnci ekleyin
  • Gate ve source arasına ESD koruması için 15-20V zener diyot bağlayın

Yüksek Akım Uygulamaları:

  • PCB tasarımında kalın bakır hatlar (en az 2oz) kullanın
  • Mümkün olduğunca çok sayıda via yerleştirin
  • Drain ve source bağlantılarında düşük endüktans sağlayın
  • Yüksek akımlarda kaçak endüktansı azaltmak için paralel kapasitörler kullanın
  • Çok katmanlı PCB'lerde tam güç düzlemleri tercih edin

Isı Yönetimi:

  • TO-247 paketini uygun ısı emiciye monte edin
  • Termal macun/ped kullanarak ısı transferini iyileştirin
  • Yüksek akım uygulamalarında fan ile aktif soğutma sağlayın
  • Paralel MOSFET'leri aynı soğutucuya monte edin
  • Maksimum jonksiyon sıcaklığının altında çalıştığından emin olun

Gate Sürücü Devreleri:

  • Yüksek kapasitans için güçlü gate sürücüler kullanın
  • Yüksek akım PCB düzeninde gate sürücü ve MOSFET arasındaki mesafeyi minimize edin
  • Miller platosunu hızlı aşmak için yeterli sürücü akımı sağlayın
  • Paralel MOSFET'lerin gate'lerini ayrı ayrı fakat eşit uzunlukta sürün
  • Gürültüden etkilenmemek için gate sinyalini filtreleyin

Sorun Giderme ve İpuçları

IRFP054 N-Kanal Power MOSFET TO-247 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

  • Aşırı Isınma: Daha büyük ısı emici kullanın veya aktif soğutma ekleyin
  • Yavaş Anahtarlama: Gate sürücü gücünü artırın ve gate direncini optimize edin
  • Gate Salınımları: Ferrit boncuk veya düşük değerli seri gate direnci ekleyin
  • Yüksek EMI: PCB düzenini optimize edin ve anahtarlama hızını kontrol edin
  • Paralel MOSFET Dengesizliği: Source'a küçük değerli dirençler ekleyin

Yüksek Akım Uygulamaları İçin İpuçları

  • 80A'e yakın uygulamalarda geniş bakır yollar ve çoklu vialar kullanın
  • PCB bağlantı noktalarını güçlendirmek için kalın lehim kullanın
  • Akım sensörü ekleyerek aşırı akım koruması sağlayın
  • Çok büyük yüklerde MOSFET'leri paralel bağlayın
  • Uzun kablolarda voltage drop hesabı yaparak gerilim düşümünü değerlendirin

Anahtarlama Performansını İyileştirme

  • Gate sürücü ile MOSFET arasındaki bağlantıyı olabildiğince kısa tutun
  • Yüksek gate kapasitansını hızlı şarj edebilen totem-pole veya MOSFET sürücü IC'ler kullanın
  • Mümkünse freewheeling diyot yerine aktif klemping veya senkron doğrultma kullanın
  • Yüksek frekanslı uygulamalarda düşük ESL/ESR kapasitörler kullanın
  • Sıcaklık dengelemesi için termal sensör ve feedback devresi ekleyin

Paket İçeriği


İlgili Ürün Kategorilerimiz

Elektronik Komponentler

Çeşitli elektronik komponentler ile projelerinizi ve devrelerinizi geliştirebilirsiniz.

Ürünleri İncele →

Potansiyometre

Değişken direnç ihtiyaçlarınız için çeşitli potansiyometre ürünleri.

Ürünleri İncele →

Neden Voltaj.Net'ten Almalısınız?

Voltaj.Net, elektronik komponentler ve güç elektroniği ürünleri konusunda Türkiye'nin güvenilir tedarikçisidir.

  • Kalite Güvencesi: Orijinal ve güvenilir ürünler
  • Teknik Destek: Uzman ekip ile çözüm ve danışmanlık
  • Hızlı Teslimat: Stoktan hızlı gönderim imkanı
  • Geniş Ürün Yelpazesi: Projeleriniz için gerekli tüm komponentler
  • Uygun Fiyatlar: Rekabetçi fiyatlarla kaliteli ürünler
  • Güvenilir Alışveriş: Kolay sipariş ve güvenli ödeme seçenekleri

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular

IRFP054 en çok hangi uygulamalar için uygundur?

Düşük voltaj/yüksek akım gerektiren uygulamalar için idealdir: DC motor sürücüleri, batarya yönetim sistemleri, yüksek akım güç kaynakları ve H-köprü devreleri.

Paralel bağlantıda kaç MOSFET kullanılabilir?

Teorik olarak limit yoktur, ancak pratik uygulamalarda 2-4 arası tercih edilir. Her MOSFET'in gate'ine 5-10 ohm direnç ve dengeleme için source'a küçük dirençler ekleyin.

Bu MOSFET'i Arduino ile nasıl sürebilirim?

Arduino doğrudan süremez, gate sürücü devresi (MOSFET sürücü IC veya transistör katı) eklemeniz gerekir. Optokuplör ile izolasyon sağlayabilirsiniz.

Soğutucuya montaj için nelere dikkat etmeliyim?

Termal macun kullanın, izolasyon gerektiren durumlarda silikon pad ekleyin ve montaj vidalarını uygun torkla sıkın. Soğutucu boyutunu akım değerine göre seçin.

RDS(on) değeri neden bu kadar önemlidir?

Güç kaybını belirler (P = I² × RDS(on)). 0.012Ω gibi düşük değer, yüksek verimliliğe ve düşük ısınmaya olanak tanır.

Düşük frekanslı ve yüksek frekanslı uygulamalarda farklılıklar nelerdir?

Yüksek frekansta anahtarlama kayıpları artar, parazitik kapasitanslar önem kazanır ve PCB tasarımı kritikleşir. Düşük frekansta iletim kayıpları baskındır.

Endüktif yükler için ek koruma gerekli midir?

Evet, gerilim sıçramalarını önlemek için flyback diyot veya snubber devresi eklenmeli. Entegre body diyot yardımcıdır ancak yeterli olmayabilir.

IRFP054'ün maksimum çalışma frekansı nedir?

Anahtarlama sürelerine bağlı olarak 50-100 kHz aralığında verimli çalışır. Güçlü gate sürücü devresiyle 150 kHz'e kadar kullanılabilir.

Diğer Özellikler
Stok KoduVLT-1684
MarkaChina
Stok DurumuVar
Geniş ürün yelpazesi
1000 TL üzeri siparişler ücretsiz teslimat
Daima ekonomik
Piyasadaki en iyi fiyat

PlatinMarket® E-Ticaret Sistemi İle Hazırlanmıştır.