IRF9530N P Kanal Power Mosfet To-220AB

IRF9530N P-Kanal Power MOSFET TO-220AB

IRF9530N, orta güç uygulamaları için tasarlanmış, güvenilir ve kullanımı kolay bir P-kanal güç MOSFET'idir. -100V drain-source voltajı ve -12A sürekli akım kapasitesi ile yüksek taraf anahtarlama, güç kontrolü ve batarya koruma devreleri için ideal bir yarı iletken elemandır.

TO-220AB paketinde sunulan bu elektronik komponent, P-kanal yapısı sayesinde yüksek taraf (high-side) anahtarlama için ekstra sürücü devresi gerektirmeden doğrudan kontrol imkanı sağlar. Makul 0.20 Ohm RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında verimli çalışır.

Kolay kullanımı ve uygun fiyatıyla öne çıkan IRF9530N, batarya koruma, yük anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında sıkça tercih edilir. Potansiyometre ile birlikte kullanılarak manuel kontrollü güç anahtarlama devreleri oluşturulabilir.

Teknik Özellikler

IRF9530N P-Kanal Power MOSFET TO-220AB'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Üretici: International Rectifier / Infineon
• MOSFET Tipi: P-Kanal
• Paket / Kılıf: TO-220AB
• Drain-Source Voltajı (V_DSS): -100V
• Sürekli Drain Akımı (I_D): -12A @ 25°C
• Pulslu Drain Akımı (I_DM): -48A (kısa süreli)
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): -2.0V ~ -4.0V
• Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 0.20Ω @ V_GS = -10V
• Logic Level Gate: Hayır (standart gate voltajı)
• Gate Şarj (Q_g): 39 nC (tipik)
• Açma/Kapama Gecikme Süresi: t_d(on) = 30ns, t_d(off) = 60ns
• Yükselme/Düşme Süresi: t_r = 100ns, t_f = 65ns
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 950 pF
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 160 pF
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 30 pF
• Toplam Gate Şarj (Q_g): 39 nC
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 75W
• Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +175°C arası
• Termal Direnç (R_θJC): 1.67°C/W
• Avalanche Enerjisi (E_AS): 200 mJ
• Body Diyot İleri Voltaj Düşümü (V_SD): -1.5V
• Body Diyot Reverse Recovery Süresi (t_rr): 150ns
• RoHS Uyumluluğu: Evet

Kullanım Alanları

IRF9530N P-Kanal Power MOSFET TO-220AB'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Yüksek Taraf Anahtarlama

• Batarya koruma devreleri
• Yük anahtarlama uygulamaları
• Güç yönetim sistemleri
• Pozitif besleme kontrolü
• Elektronik sigortalar

Motor Kontrolü

• Küçük ve orta güçlü DC motor kontrolü
• H-köprü devreleri (üst taraf)
• Fan hız kontrolü
• Pompa kontrol devreleri
• Otomotiv elektrik sistemleri

Güç Yönetimi

• Aküden çalışan cihazlar
• Düşük güçlü DC-DC dönüştürücüler
• Soft-start devreleri
• LED sürücüleri
• Akıllı güç anahtarlama

Avantajlar ve Özellikler

IRF9530N P-Kanal Power MOSFET TO-220AB'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

• P-Kanal Yapısı: Yüksek taraf anahtarlama için basit devre tasarımı
• Yüksek Voltaj Dayanımı: -100V ile güvenli çalışma marjı
• Uygun Akım Kapasitesi: -12A sürekli, -48A puls akım taşıyabilme
• TO-220 Paketi: Kolay montaj ve soğutucu bağlama imkanı
• Uygun RDS(on): 0.20Ω ile orta güç uygulamalarında verimli çalışma
• Sağlam Yapı: Endüstriyel ortamlarda güvenilir performans
• Geniş Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası çalışabilme
• Maliyet Etkin Çözüm: Performans/fiyat oranı yüksek
• Kolay Sürüş: Basit gate kontrol devreleri ile sürülebilme
• Yaygın Bulunabilirlik: Popüler ve temin edilmesi kolay model

Uygulama ve Devre Tasarımı

IRF9530N P-Kanal Power MOSFET TO-220AB ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Temel Bağlantı Şemaları:

• Yüksek Taraf Anahtarlama: Source pini pozitif beslemeye, Drain pini yüke bağlanır
• Gate Kontrolü: Gate'i Source'dan daha negatif yapmak için NPN transistör veya sürücü kullanılır
• Pull-Up Direnci: Gate-Source arasına 10kΩ pull-up direnci (varsayılan olarak kapalı tutmak için)
• Gate Koruması: Gate-Source arasına 15V zener diyot (ters yönde) bağlanır
• İndüktif Yük Koruması: Drain-Source arasına hızlı diyot (ters yönde) bağlanır

Batarya Koruma Devresi Örneği:

• Temel Komponentler: IRF9530N, LM393 karşılaştırıcı, referans voltaj devresi
• Bağlantı: MOSFET Source->Batarya+, Drain->Yük+, Gate->Kontrol devresi
• Çalışma Prensibi: Batarya voltajı belirlenen limitin altına düştüğünde MOSFET kapanır
• Kontrol Devresi: NPN transistör ile batarya durumuna göre gate kontrol edilir
• Ekstra Özellikler: Histerezis ekleyerek salınım önlenir, LED ile durum göstergesi eklenebilir

Sorun Giderme ve İpuçları

IRF9530N P-Kanal Power MOSFET TO-220AB kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• MOSFET Tam Açılmıyor: Gate voltajı yetersiz, Source ile arasında en az -10V fark olmalıdır.
• Aşırı Isınma: Yüksek RDS(on) veya fazla akım, soğutucu ekleyin veya daha düşük RDS(on)'lu model seçin.
• Kararsız Anahtarlama: Gate sürüş devresi yetersiz, daha iyi sürücü devresi tasarlayın.
• İstenmeyen Açılma: Pull-up direnci eksik, Gate-Source arasına 10kΩ direnç ekleyin.
• Gate Hasar Görmesi: Aşırı voltaj, koruyucu zener diyot ekleyin.

Tasarım ve Montaj İpuçları

• 7A ve üzeri uygulamalarda soğutucu kullanımı önerilir
• Düşük hızlı anahtarlamada ısınma artacağını unutmayın, PWM frekansını optimize edin
• Gate ve Source arasındaki gürültüyü önlemek için kontrol devresini yakın yerleştirin
• Drain-Source arasındaki gerilim dalgalanmalarını önlemek için snubber devresi ekleyin
• IRF9530N'in N-kanal eşdeğeri olan IRF530 ile kombine ederek H-köprü tasarlayabilirsiniz

Paket İçeriği

• IRF9530N P-Kanal Power MOSFET TO-220AB

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular