2N7000 Transistör N Kanal MOSFET TO-92

2N7000 Transistör N-Kanal MOSFET TO-92

2N7000, küçük sinyaller için tasarlanmış N-Kanal enhancement mode MOSFET transistördür. TO-92 plastik paketinde sunulan bu transistör, 60V drain-source gerilimi, 200mA sürekli drain akımı ve düşük eşik gerilimi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için idealdir.

Düşük gate sürüş gereksinimi (2-4V eşik gerilimi) ile mikroişlemci ve mikrodenetleyici çıkışlarından doğrudan kontrol edilebilen bu elektronik komponent, düşük güç anahtarlama, seviye dönüştürme ve yüksek empedanslı tampon devrelerinde verimli çalışır.

400mW güç kapasitesi ve TO-92 paketinin breadboard uyumlu yapısı ile 2N7000, elektronik hobi projeleri, öğrenme amaçlı uygulamalar ve düşük güçlü devreler için popüler ve ekonomik bir transistör seçeneğidir.

Teknik Özellikler

2N7000 Transistör N-Kanal MOSFET TO-92'nin detaylı teknik özellikleri aşağıda listelenmiştir.

• Transistör Tipi: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
• Kanal Tipi: N-Kanal
• Mod: Enhancement (Zenginleştirme)
• Paket / Kılıf: TO-92
• Drain-Source Voltajı (V_DSS): 60V
• Gate-Source Voltajı (V_GSS): ±20V
• Drain Akımı - Sürekli (I_D): 200mA
• Drain Akımı - Pik (I_DM): 500mA
• Toplam Güç Dağılımı (P_D): 400mW (25°C'de)
• Gate Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2.0V-4.0V (I_D=250µA)
• Drain-Source On-Direnci (R_DS(on)): 5.0Ω (V_GS=10V, I_D=100mA)
• Giriş Kapasitansı (C_iss): 60pF (tipik)
• Çıkış Kapasitansı (C_oss): 25pF (tipik)
• Geri Transfer Kapasitansı (C_rss): 5pF (tipik)
• Gate Şarj (Q_g): 2.5nC (tipik)
• Açma Gecikmesi Zamanı (t_d(on)): 10ns (tipik)
• Yükselme Zamanı (t_r): 10ns (tipik)
• Kapama Gecikmesi Zamanı (t_d(off)): 25ns (tipik)
• Düşme Zamanı (t_f): 25ns (tipik)
• Çalışma Sıcaklığı (T_j): -55°C ile 150°C arası
• Depolama Sıcaklığı (T_stg): -55°C ile 150°C arası
• Termal Direnç, Junction-Ambient (R_θJA): 312.5°C/W
• Pin Konfigürasyonu: 1-Source, 2-Drain, 3-Gate
• Paket Boyutları (Yaklaşık): 5.2mm x 4.2mm x 3.5mm
• Montaj Tipi: Through Hole (THT)
• RoHS Uyumluluğu: Evet
• Ağırlık (Yaklaşık): 0.18g

Kullanım Alanları

2N7000 Transistör N-Kanal MOSFET TO-92'nin kullanılabileceği çeşitli alanlar ve proje örnekleri.

Dijital Arayüz ve Sinyal İşleme

• Mikrodenetleyici kontrollü anahtarlama
• Seviye dönüştürme (Level shifting)
• Lojik gate uygulamaları
• Yüksek empedanslı tampon devreleri
• Dijital sinyal yolları

Düşük Güç Uygulamaları

• LED sürücü devreleri
• Küçük röle kontrol devreleri
• Pil koruması devreleri
• Düşük güçlü motor sürücüleri
• Solenoid sürücüler

Hobi ve Eğitim Projeleri

• Arduino ve Raspberry Pi projeleri
• Breadboard deneme devreleri
• Elektronik eğitim setleri
• Elektronik test devreleri
• Basit güç kontrolü uygulamaları

Avantajlar ve Özellikler

2N7000 Transistör N-Kanal MOSFET TO-92'nin sağladığı avantajlar ve çözümler.

• Düşük Gate Eşik Gerilimi: 2-4V aralığı ile 3.3V/5V lojik devrelerden doğrudan sürülebilme
• Yüksek Giriş Empedansı: Neredeyse sıfır gate akımı ile yüksek hassasiyetli devreler
• Hızlı Anahtarlama: Nanosaniye seviyesinde açma/kapama süreleri
• Basit Sürüş Devresi: Pull-down direnci dışında ekstra bileşen gerektirmeyen tasarım
• Geniş Çalışma Gerilimi: 60V maksimum drain-source gerilimi ile esnek uygulama alanı
• Düşük Maliyet: Ekonomik fiyatıyla hobi ve prototip çalışmalarına uygunluk
• Breadboard Uyumlu: TO-92 paketi ile delikli pertinaks ve breadboard'a kolay montaj
• Düşük Statik Duyarlılık: Dahili gate koruma diyodu ile ESD hasarına karşı direnç
• Uygun Termal Performans: 400mW güç kapasitesi ile çoğu düşük güç uygulaması için yeterlilik
• Yüksek Güvenilirlik: Uzun çalışma ömrü ve dayanıklı yapı

Uygulama ve Devre Tasarımı

2N7000 Transistör N-Kanal MOSFET TO-92 ile yapılabilecek temel devre tasarımları ve uygulamalara örnekler.

Mikrodenetleyici Kontrollü LED Sürücü:

• Bağlantı: Drain-LED-VCC, Source-GND, Gate-MCU Pin
• Gate Pull-down Direnci: 10kΩ (istenmeyen açılmalara karşı)
• Akım Sınırlama: LED'e seri 220Ω direnç
• Maksimum LED Sayısı: 200mA/20mA = 10 adet (paralel bağlı)
• Anahtarlama Hızı: PWM ile parlaklık kontrolü yapılabilir

Seviye Dönüştürücü (Level Shifter):

• 3.3V - 5V Çevirici: 3.3V lojik çıkışı 5V sistemlere bağlama
• Gate Direnci: 1kΩ (ringing etkisini azaltmak için)
• Pull-up Direnci: 10kΩ (5V'a bağlı)
• Hız: 1MHz'e kadar sinyal geçişi
• Gecikme: 10-20ns tipik

MOSFET AND Gate:

• İki Giriş AND Gate: İki 2N7000 seri bağlantı
• Pull-down Dirençleri: Her gate için 10kΩ
• Pull-up Direnci: Çıkışta 10kΩ
• Çalışma Voltajı: 5V lojik
• Uyarı: TTL seviyesinde çalışmaz, minimum 3V gate gerilimi gerektirir

Sorun Giderme ve İpuçları

2N7000 Transistör N-Kanal MOSFET TO-92 kullanırken karşılaşabileceğiniz sorunlar ve çözüm önerileri.

Yaygın Sorunlar ve Çözümleri

• Transistör Açılmıyor: Gate voltajını kontrol edin, eşik voltajı en az 2-3V olmalıdır.
• Isınma Sorunu: RDS(on) direncini ve akım değerlerini kontrol edin, 200mA limitini aşmayın.
• Kararsız Çalışma: Gate bacağına 10kΩ pull-down direnci ekleyin.
• Yavaş Anahtarlama: Gate sürücü direncini azaltın, kapasitif yükleri kontrol edin.
• ESD Hasarı: Taşıma ve depolama sırasında ESD önlemleri alın.

Tasarım ve Uygulama İpuçları

• TO-92 paketinin pin konfigürasyonunu (1-Source, 2-Drain, 3-Gate) doğru kontrol edin
• Gate'e her zaman 10kΩ pull-down direnci ekleyerek istenmeyen tetiklemeleri önleyin
• Yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında gate direncini düşük tutun (470Ω-1kΩ)
• İndüktif yükler (röle, solenoid, motor) için her zaman freewheeling diyodu ekleyin
• Düşük gate voltajlarında (3-5V) RDS(on) yüksek olabilir, akım kapasitesini düşürün
• Gate-source geriliminin ±20V limiti içinde kalmasını sağlayın

Paket İçeriği

• 2N7000 Transistör N-Kanal MOSFET TO-92

İlgili Ürün Kategorilerimiz

Ürün Hakkında Sıkça Sorulan Sorular