FGW75N65WE 75A 650V Igbt Transistör To-247
FGW75N65WE, 75 amper akım kapasitesine ve 650 volt çalışma gerilimine sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247 kılıfında sunulan bu transistör, yüksek anahtarlama hızları ve düşük güç kayıpları ile endüstriyel güç elektroniği uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler:
- Tip: IGBT Transistör
- Kılıf: TO-247
- Maksimum Akım (Ic): 75A
- Maksimum Gerilim (Vce): 650V
- Doygunluk Gerilimi (Vce(sat)): 1.8V (tipik)
- Açma-Kapama Zamanı: Hızlı anahtarlama süresi ile verimli çalışır
- Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +150°C
Anahtar Avantajlar:
- Yüksek Akım Kapasitesi: 75A’e kadar yüksek akım taşıma kapasitesi
- Yüksek Gerilim Toleransı: 650V gerilim dayanımı, güç devrelerinde güvenli çalışmayı sağlar.
- Verimli Anahtarlama: Düşük doyma gerilimi ve hızlı anahtarlama ile enerji verimliliği sunar.
- Sağlam Tasarım: Yüksek ısıl dayanıklılığı ve TO-247 kılıf yapısı ile uzun ömürlüdür.
Uygulama Alanları:
- Güç Kaynakları
- Motor Kontrol Devreleri
- UPS Sistemleri
- Yüksek Güç İnvertörleri
- Solar İnvertörler
Paket İçeriği:
1 adet FGW75N65WE 75A 650V Igbt Transistör To-247
